[发明专利]一种温度检测系统

权利要求书

1.一种温度检测系统，其特征在于，所述系统包括：

基准电压产生电路，用于产生一基准电压；

负温度系数电压产生电路，用于产生一负温度系数电压；

第一振荡器，第一输入端口与所述基准电压产生电路连接，第二输入端口 与所述负温度系数电压产生电路连接，用于根据所述基准电压和所述负温度系 数电压产生一具有第一频率的信号；

第二振荡器，与所述第一振荡器结构相同，第一输入端口与所述负温度系 数电压产生电路连接，第二输入端口与所述基准电压产生电路连接，用于根据 所述负温度系数电压和所述基准电压产生一具有第二频率的信号；

温度检测单元，与所述第一振荡器和所述第二振荡器连接，用于仿真测得 所述具有第一频率的信号和所述第二频率的信号的频率比值随温度变化的信息 并存储，在检测时根据检测到的当前温度下所述具有第一频率的信号和所述第 二频率的信号的频率比值和存储的频率比值随温度变化的信息，得到当前温度 值。

2.如权利要求1所述的温度检测系统，其特征在于，所述基准电压产生电 路包括：

第一P型MOS管、第二P型MOS管、第一PNP型三极管、第二PNP型 三极管、第一运算放大器、第一电阻；

所述第一P型MOS管的源极和第二P型MOS管的源极与电源连接，所述 第一P型MOS管的漏极与所述第一PNP型三极管的发射极连接，所述第二P 型MOS管的漏极通过所述第一电阻接所述第二PNP型三极管的发射极，所述 第一PNP型三极管和第二PNP型三极管的集电极和基极均接地；

所述第一运算放大器的两个输入端分别连接所述第一P型MOS管的漏极 和第二P型MOS管的漏极，输出端同时与所述第一P型MOS管和第二P型 MOS管的栅极连接；

所述第一电阻的一中间端点同时连接所述第一振荡器的第一输入端口和所 述第二振荡器的第二输入端口。

3.如权利要求1所述的温度检测系统，其特征在于，所述基准电压产生电 路包括：

第一P型MOS管、第二P型MOS管、第一PNP型三极管、第二PNP型 三极管、第一运算放大器、第一电阻、第二运算放大器、第二电阻、可调电阻；

所述第一P型MOS管的源极和第二P型MOS管的源极与电源连接，所述 第一P型MOS管的漏极与所述第一PNP型三极管的发射极连接，所述第二P 型MOS管的漏极通过所述第一电阻接所述第二PNP型三极管的发射极，所述 第一PNP型三极管和第二PNP型三极管的集电极和基极均接地；

所述第一运算放大器的两个输入端分别连接所述第一P型MOS管的漏极 和第二P型MOS管的漏极，输出端同时与所述第一P型MOS管和第二P型 MOS管的栅极连接；

所述可调电阻和所述第二电阻串联，所述第二运算放大器的一个输入端连 接所述第二P型MOS管的漏极，另一个输入端连接至所述可调电阻和所述第 二电阻的串联端，所述可调电阻的非串联端与所述第二运算放大器的输出端连 接，所述第二电阻的非串联端接地；

所述第二运算放大器的输出端同时连接所述第一振荡器的第一输入端口和 所述第二振荡器的第二输入端口。