[发明专利]一种氮化硅薄膜的生成装置及方法

权利要求书

1.一种氮化硅薄膜的生成装置，包括：用于通入二氯二氢硅DCS气体的第一管路、用于通入氨气NH₃的第二管路和低压化学气相沉积LPCVD反应腔；所述第一管路外表面包裹有加热带，所述第一管路和第二管路分别与所述LPCVD反应腔相连，其特征在于，还包括：第三管路，所述第三管路与所述第一管路连通，用于在停止向所述LPCVD反应腔中通入DCS气体后，向所述第一管路中通入能够将所述第一管路中残留的DCS气体排出至所述LPCVD反应腔的第一气体。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一管路上设置有第一电子阀、第二电子阀和DCS流量控制器；所述DCS流量控制器设置于所述第一电子阀和第二电子阀之间；

所述第一电子阀用于控制DCS气体通入第一管路；所述DCS流量控制器用于调节所述DCS气体的流量；所述第二电子阀用于控制调节流量后的DCS气体输入至所述LPCVD反应腔；

所述第三管路与所述第一管路之间的连通口位于所述第一电子阀与所述DCS流量控制器之间。

3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第三管路上设置有第三电子阀，用于控制所述第一气体通入所述第三管路。

4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第二管路上设置有第四电子阀、第五电子阀和NH₃流量控制器；所述NH₃流量控制器设置于所述第四电子阀和第五电子阀之间；

所述第四电子阀用于控制NH₃气体通入第二管路；所述NH₃流量控制器用于调节所述NH₃的流量；所述第五电子阀用于控制调节流量后的NH₃输入至所述LPCVD反应腔。

5.一种生成氮化硅薄膜的方法，分别通过第一管路和第二管路向低压化学气相沉积LPCVD反应腔中通入二氯二氢硅DCS气体和氨气NH₃，所述DCS气体和NH₃发生化学反应生成氮化硅薄膜，其特征在于，在停止向所述LPCVD反应腔中通入DCS气体后，还包括：

通过与所述第一管路连通的第三管路，向所述第一管路中通入能够将所述第一管路中残留的DCS气体排出至所述LPCVD反应腔的第一气体；

被排出的DCS气体与所述NH₃继续反应生成氮化硅薄膜。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，通过第一管路向LPCVD反应腔中通入DCS气体，包括：

通过所述第一管路上的第一电子阀向第一管路中通入DCS气体，经第一管路上的DCS流量控制器调节所述DCS气体的流量后，通过第二电子阀将调节流量后的DCS气体输入至所述LPCVD反应腔。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，通过第二管路向LPCVD反应腔中通入NH₃，包括：

通过第二管路上的第四电子阀向第二管路中通入NH₃，经第二管路上的NH₃流量控制器调节所述NH₃的流量后，通过第五电子阀将调节流量后的NH₃输入至所述LPCVD反应腔。

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，在停止向所述LPCVD反应腔中通入DCS气体后，通过与所述第一管路连通的第三管路，向第一管路中通入所述第一气体，包括：

关闭所述第一管路上的第一电子阀，开启所述第一管路上的第二电子阀以及第三管路上的第三电子阀，将所述第一气体经过所述第三管路和所述第一管路之间的连通口通入到第一管路中。

9.如权利要求5-8中任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述第一气体包括：氮气、惰性气体或者其他与所述DCS或NH₃不发生化学反应的气体。