[发明专利]腔室环境的控制方法有效
| 申请号： | 200910084869.8 | 申请日： | 2009-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN101894737A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 吴桂龙 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;C23C16/30;H01L21/20;H01L21/3065;H01L21/311;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 100016 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 环境 控制 方法 | ||
1.一种腔室环境的控制方法，其特征在于，包括：
对晶片进行等离子体加工工艺前，在腔室内原位沉积钝化层，接着进行该晶片的等离子体加工工艺。
2.根据权利要求1所述的腔室环境的控制方法，对多个晶片进行等离子体加工时，其特征在于，每连续加工一定数量的晶片后，在下一晶片加工前重新沉积一次钝化层。
3.根据权利要求1或2所述的腔室环境的控制方法，其特征在于，在腔室内原位沉积钝化层之后还包括：对所述钝化层进行等离子体清洗，以去除所述钝化层表面的附着物。
4.根据权利要求3所述的腔室环境的控制方法，对多个晶片进行等离子体加工时，所述去除钝化层表面的附着物会消耗一定厚度的钝化层，其特征在于，还包括：
在所述钝化层被多次等离子体清洗所消耗尽之前，重新沉积钝化层。
5.根据权利要求4所述的腔室环境的控制方法，其特征在于，所述重新沉积钝化层的频率由等离子体清洗的效果确定。
6.根据权利要求1所述的腔室环境的控制方法，其特征在于，所述钝化层为抗含氟等离子体材料。
7.根据权利要求1所述的腔室环境的控制方法，其特征在于，所述钝化层包括氧化硅、氧化铝、氧化钇、氮化硅、氮化钛和氮氧化硅中的一种或至少两种的组合。
8.一种腔室环境的控制方法，其特征在于，包括以下处理步骤：
晶片进行等离子体加工工艺前，先对腔室内进行等离子体清洗，接着在清洗后的腔室内原位沉积钝化层，接着进行该晶片的等离子体加工工艺。
9.根据权利要求8所述的腔室环境的控制方法，对多个晶片进行等离子体加工时，其特征在于，每一晶片进行等离子体加工工艺前均进行所述处理步骤。
10.根据权利要求8所述的腔室环境的控制方法，其特征在于，所述钝化层为抗含氟等离子体材料。
11.根据权利要求8所述的腔室环境的控制方法，其特征在于，所述钝化层包括氧化硅、氧化铝、氧化钇、氮化硅、氮化钛和氮氧化硅中的一种或至少两种的组合。
12.一种腔室环境的控制方法，其特征在于，在包括以下步骤：
执行工艺机台保养；
对腔室内进行等离子体清洗，以去除机台保养过程中的杂质；
在清洗后的腔室内原位沉积钝化层。
13.根据权利要求12所述的腔室环境的控制方法，其特征在于，所述钝化层包括氧化硅、氧化铝、氧化钇、氮化硅、氮化钛和氮氧化硅中的一种或至少两种的组合。
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