[发明专利]磺化聚苯撑乙烯/水滑石复合发光超薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 200910084340.6 申请日: 2009-05-21
公开(公告)号: CN101560386A 公开(公告)日: 2009-10-21
发明(设计)人: 陆军;闫东鹏;卫敏;段雪 申请(专利权)人: 北京化工大学
主分类号: C09K11/06 分类号: C09K11/06
代理公司: 北京太兆天元知识产权代理有限责任公司 代理人: 张洪年
地址: 100029北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 磺化 聚苯撑 乙烯 滑石 复合 发光 薄膜 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.磺化聚苯撑乙烯/水滑石复合发光超薄膜的制备方法,其特征在于, 其具体制备步骤如下:

1)制备层间阴离子为NO3-或者Cl-,层板二价、三价阳离子摩尔比 M2+/M3+=2.0-4.0的水滑石前体;

2)将步骤1)制备的水滑石前体加入甲酰胺溶剂里进行剥离,加入量为 0.5-2g/L,搅拌速度为3000-5000转/分,反应12-36小时后离心,弃去沉淀 物,得到澄清透明胶体溶液A;

3)配制质量分数为0.001-0.1wt.%的磺化聚苯撑乙烯溶液B;

4)将亲水化处理后带负电荷的石英片,硅片或玻璃片在溶液A中浸泡 10-20分钟,用去离子水充分清洗后,放置溶液B中,浸泡10-20分钟并充 分清洗,得到一次循环的磺化聚苯撑乙烯/水滑石复合发光超薄膜;

5)重复步骤4),得到多层磺化聚苯撑乙烯/水滑石复合发光超薄膜。

2.根据权利要求1所述的磺化聚苯撑乙烯/水滑石复合发光超薄膜的制 备方法,其特征在于,步骤1)中所述的水滑石前体的主体层板的二价金属 阳离子为Mg2+、Co2+、Ni2+、Ca2+、Cu2+、Fe2+或Mn2+,三价金属阳离子为 Al3+、Cr3+、Ga3+、In3+、Co3+、Fe3+或V3+

3.根据权利要求1所述的磺化聚苯撑乙烯/水滑石复合发光超薄膜的制 备方法,其特征在于,步骤1)中所述的水滑石前体采用共沉淀法、成核晶 化/隔离法、非平衡晶化法、尿素法、离子交换法或水热合成法制备。

4.根据权利要求1所述的磺化聚苯撑乙烯/水滑石复合发光超薄膜的制 备方法,其特征在于,步骤4)中所述的亲水化处理方法为:将石英片,硅 片或玻璃片在浓H2SO4中浸泡30-50分钟,然后用去离子水充分清洗至 pH=7。

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