[发明专利]磺化聚苯撑乙烯/水滑石复合发光超薄膜及其制备方法有效
| 申请号: | 200910084340.6 | 申请日: | 2009-05-21 |
| 公开(公告)号: | CN101560386A | 公开(公告)日: | 2009-10-21 |
| 发明(设计)人: | 陆军;闫东鹏;卫敏;段雪 | 申请(专利权)人: | 北京化工大学 |
| 主分类号: | C09K11/06 | 分类号: | C09K11/06 |
| 代理公司: | 北京太兆天元知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 张洪年 |
| 地址: | 100029北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 磺化 聚苯撑 乙烯 滑石 复合 发光 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.磺化聚苯撑乙烯/水滑石复合发光超薄膜的制备方法,其特征在于, 其具体制备步骤如下:
1)制备层间阴离子为NO3-或者Cl-,层板二价、三价阳离子摩尔比 M2+/M3+=2.0-4.0的水滑石前体;
2)将步骤1)制备的水滑石前体加入甲酰胺溶剂里进行剥离,加入量为 0.5-2g/L,搅拌速度为3000-5000转/分,反应12-36小时后离心,弃去沉淀 物,得到澄清透明胶体溶液A;
3)配制质量分数为0.001-0.1wt.%的磺化聚苯撑乙烯溶液B;
4)将亲水化处理后带负电荷的石英片,硅片或玻璃片在溶液A中浸泡 10-20分钟,用去离子水充分清洗后,放置溶液B中,浸泡10-20分钟并充 分清洗,得到一次循环的磺化聚苯撑乙烯/水滑石复合发光超薄膜;
5)重复步骤4),得到多层磺化聚苯撑乙烯/水滑石复合发光超薄膜。
2.根据权利要求1所述的磺化聚苯撑乙烯/水滑石复合发光超薄膜的制 备方法,其特征在于,步骤1)中所述的水滑石前体的主体层板的二价金属 阳离子为Mg2+、Co2+、Ni2+、Ca2+、Cu2+、Fe2+或Mn2+,三价金属阳离子为 Al3+、Cr3+、Ga3+、In3+、Co3+、Fe3+或V3+。
3.根据权利要求1所述的磺化聚苯撑乙烯/水滑石复合发光超薄膜的制 备方法,其特征在于,步骤1)中所述的水滑石前体采用共沉淀法、成核晶 化/隔离法、非平衡晶化法、尿素法、离子交换法或水热合成法制备。
4.根据权利要求1所述的磺化聚苯撑乙烯/水滑石复合发光超薄膜的制 备方法,其特征在于,步骤4)中所述的亲水化处理方法为:将石英片,硅 片或玻璃片在浓H2SO4中浸泡30-50分钟,然后用去离子水充分清洗至 pH=7。
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