[发明专利]一种减反射膜及其制备方法

权利要求书

1.一种减反射膜，用于减少太阳能电池表面的光反射，其特征在于，包括在硅片表面依次沉积的氮化硅膜层、氮氧化硅膜层以及氧化硅膜层。

2.如权利要求1所述的减反射膜，其特征在于，所述三个膜层的折射率自所述氮化硅膜层向氧化硅膜层而逐渐降低。

3.如权利要求1所述的减反射膜，其特征在于，所述氮化硅膜层的厚度为9～12nm，折射率为2.1～2.4。

4.如权利要求3所述的减反射膜，其特征在于，所述氮化硅膜层的厚度约为10nm。

5.如权利要求1所述的减反射膜，其特征在于，所述氮氧化硅膜层的厚度为42～47nm，折射率为1.75～1.9。

6.如权利要求5所述的减反射膜，其特征在于，所述氮氧化硅膜层的厚度约为45nm。

7.如权利要求1所述的减反射膜，其特征在于，所述氧化硅膜层的厚度为14～17nm，折射率为1.44～1.5。

8.如权利要求7所述的减反射膜，其特征在于，所述氧化硅膜层的厚度约为15nm。

9.如权利要求1所述的减反射膜，其特征在于，所述三个膜层的总体厚度约为70nm。

10.如权利要求1所述的减反射膜，其特征在于，所述三个膜层中的至少一个膜层的折射率沿自所述氮化硅膜层向氧化硅膜层的方向而逐渐降低。

11.一种减反射膜的制备方法，所述减反射膜用于减少太阳能电池表面的光反射，所述制备方法包括以下步骤：

1)在硅片表面沉积氮化硅膜层；

2)在所述氮化硅膜层表面沉积氮氧化硅膜层，使氮氧化硅膜层的折射率小于所述氮化硅膜层的折射率；

3)在所述氮氧化硅膜层表面沉积氧化硅膜层，使氧化硅膜层的折射率小于所述氮氧化硅膜层的折射率。

12.如权利要求11所述的减反射膜的制备方法，其特征在于，在所述步骤1)中，所采用的工艺气体包括NH₃和SiH₄，并将NH₃和SiH₄的比例控制在9.7～12的范围内，在硅片表面沉积得到厚度为9～12nm、折射率为2.1～2.4的氮化硅膜层。

13.如权利要求11所述的减反射膜的制备方法，其特征在于，在所述步骤2)中，所采用的工艺气体包括SiH₄、NH₃和N₂O，保持NH₃和SiH₄的比例在9.7～12的范围内，并控制N₂O和NH₃的比例在3.2～7.5的范围内，在所述氮化硅膜层上沉积得到厚度为42～47nm、折射率为1.75～1.9的氮氧化硅膜层。

14.如权利要求11所述的减反射膜的制备方法，其特征在于，在所述步骤3)中，所采用的工艺气体包括SiH₄和O₂，在所述氮氧化硅膜层上沉积得到厚度为14～17nm、折射率为1.44～1.5的氧化硅膜层。

15.如权利要求11至14中任意一项所述的减反射膜的制备方法，其特征在于，在所述步骤1)至步骤3)中的至少一个步骤中，控制其工艺气体的比例关系，使该步骤所得到的膜层的组分产生变化，进而使该膜层的折射率沿自所述氮化硅膜层向氧化硅膜层的方向而逐渐降低。

16.如权利要求11至14中任意一项所述的减反射膜的制备方法，其特征在于，在所述步骤1)至步骤3)中的至少一个步骤中，调节工艺过程中的功率和/或气压和/或温度，使该步骤所得到的膜层的组分产生变化，进而使该膜层的折射率沿自所述氮化硅膜层向氧化硅膜层的方向而逐渐降低。