[发明专利]一种TSV通孔的绝缘层的制备方法有效
| 申请号： | 200910082236.3 | 申请日： | 2009-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN101540295A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 纪明;朱韫晖;马盛林;缪旻;金玉丰;王玮 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/312;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙） | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 tsv 绝缘 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种TSV通孔的侧壁绝缘层的制备方法，其步骤包括：
1)在普通硅片、SOI片或表面加工有集成电路的标准硅片上刻蚀的TSV通孔内淀积一绝缘层；
2)在上述绝缘层上淀积一有机薄膜；
3)利用各向异性刻蚀，去除TSV通孔底部的有机薄膜；
4)刻蚀掉TSV通孔底部的绝缘层；
5)再次利用各向异性刻蚀，将剩余的有机薄膜全部去除，从而获得完整的TSV通孔的侧壁绝缘层。
所述有机薄膜是芳香族聚合物；
所述有机薄膜淀积的厚度为10纳米到10微米；
所述绝缘层的厚度是0.1um-5um。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤3)和步骤5)中刻蚀有机薄膜是采用等离子体干法刻蚀。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤1)中，绝缘层材料是SiO2、Si3N4或SiO2/Si3N4复合薄膜。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤1)中，淀积绝缘层是采用PECVD或LPCVD。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤4)中，刻蚀绝缘层是采用RIE或ICP。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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