[发明专利]一种光学石英晶体的培育生长工艺无效
| 申请号： | 200910064238.X | 申请日： | 2009-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN101514490A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 赵雄章;高春浩;郭玉娥 | 申请（专利权）人： | 北京石晶光电科技股份有限公司济源分公司 |
| 主分类号： | C30B29/18 | 分类号： | C30B29/18;C30B7/10 |
| 代理公司： | 郑州红元帅专利代理事务所（普通合伙） | 代理人： | 徐皂兰 |
| 地址： | 454650河南省济源*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光学 石英 晶体 培育 生长 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种光学石英晶体的培育生长工艺，其特征在于，该培育生长工艺包括以下步骤：
步骤1、对光学石英晶体进行切割，切割方向与所述光学石英晶体的光轴呈45度角，同时切割面与所述光学石英晶体的电轴平行，取片，得45度切型的培育籽晶；
步骤2、将所述45度切型的培育籽晶置入高压釜内，对所述45度切型的培育籽晶进行单面培育，使其生长，得到45度切型晶体，即用于加工大尺寸光学石英晶片的光学石英晶体。
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