[发明专利]纳米碳化硅作锂离子电池负极材料有效

专利信息
申请号: 200910063403.X 申请日: 2009-08-03
公开(公告)号: CN101989655B 公开(公告)日: 2019-09-10
发明(设计)人: 张洪涛;张少波;张泽森 申请(专利权)人: 张洪涛;张少波;张泽森
主分类号: H01M4/58 分类号: H01M4/58;H01M4/36;H01M4/48;H01M4/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 430068 湖北省武汉市南湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 纳米 碳化硅 锂离子电池 负极 材料
【权利要求书】:

1.纳米碳化硅是指其晶体尺度处于0.5-300nm之间的碳化硅材料。它可以是各种形状的,如线状、球形或者片状或不规则状。

2.晶态纳米碳化硅和非晶态纳米碳化硅作为锂离子电池或其它可逆电池的负极材料。

3.纳米碳化硅单晶体或者纳米碳化硅阵列也一样属于此类范畴。

4.以纳米碳化硅掺入其它材料,比如说,掺入二氧化锡等构成的复合材料电极,无论其他材料是否为纳米级或其它结晶形式,也属于此范畴

5.纳米碳化硅可以是晶态和非晶态的,晶态中又可以是立方或六角晶格的纳米晶体

6.纳米碳化硅可以采用各种方法和技术制备和生产。比如,CVD淀积法,各种有机物热解和一氧化硅与炭反应等。

7.纳米碳化硅可以是分散的纳米晶体,也可以是阵列。其制造方法同样可以是各种技术。

8.纳米线碳化硅也称之为纳米晶须或者纳米纤维等。

9.在纳米碳化硅制备时掺入镍、铝和铜等金属元素,形成的材料同样属于这一范畴。

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