[发明专利]一种器件源漏区域的自对准金属硅化物形成方法有效
| 申请号： | 200910057078.6 | 申请日： | 2009-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN101866841A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 陈华伦;罗啸;陈瑜;熊涛;陈雄斌 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L21/336;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 器件 区域 对准 金属硅 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种器件源漏区域的自对准金属硅化物形成方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)完成源漏注入前的制程，包含定义有源区、阱区注入、栅极形成、低掺杂漏区注入的制程；
(2)在步骤(1)已完成的硅片上淀积一层氧化层；
(3)进行源漏注入区域的光刻；
(4)源漏区域离子注入；
(5)刻蚀去掉源漏注入区域的氧化层；
(6)去掉光刻胶；
(7)在源漏注入区域制作和源漏区域自对准的金属硅化物。
2.根据权利要求1所述的一种器件源漏区域的自对准金属硅化物形成方法，其特征在于：步骤(2)中所述氧化层为100-2000埃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
