[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 200910056525.6 | 申请日： | 2009-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN101996928A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 王琪 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/321 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底表面形成介质层；
在所述介质层形成暴露衬底的通孔；
在所述介质层表面形成填充所述通孔的金属层；
对所述金属层进行热处理；
在热处理后的金属层表面形成覆盖层。
2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述金属层厚度为2000埃至3000埃。
3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述金属层材料选自铝、银、铬、钼、镍、钯、铂、钛、钽或者铜，或者选自铝、银、铬、钼、镍、钯、铂、钛、钽或者铜的合金。
4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述热处理的温度为380摄氏度至420摄氏度。
5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述热处理具体参数为：热处理温度为380摄氏度至420摄氏度，保护气体为N2或者Ar，保护气体流量为每分钟20标准立方厘米至每分钟500标准立方厘米，热处理时间为15秒至25秒。
6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述覆盖层为单一覆层结构或者是多层结构。
7.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述覆盖层材料选自氟硅玻璃、碳掺杂的氧化硅或者氮掺杂的碳化硅。
8.如权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述覆盖层的形成方法为介质化学气相沉积工艺。
9.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述覆盖层的形成工艺温度低于420摄氏度。
10.如权利要求9所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述覆盖层的具体工艺参数为：反应温度为300摄氏度至400摄氏度，腔室压力为5托至6托，反应间距为7毫米至9毫米，功率为222瓦至333瓦，四乙氧基硅烷流量为每分钟200标准立方厘米至每分钟350标准立方厘米，氨气流量为每分钟650标准立方厘米至每分钟750标准立方厘米，氦气流量为每分钟1100标准立方厘米至每分钟1300标准立方厘米，CH4流量为每分钟550标准立方厘米至每分钟650标准立方厘米。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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