[发明专利]一种半导体衬底的生长方法无效
| 申请号： | 200910055732.X | 申请日： | 2009-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101620992A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | 任国强;徐科;王建峰;张育民 | 申请（专利权）人： | 苏州纳维科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/30 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) | 代理人： | 翟 羽 |
| 地址： | 215125江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 衬底 生长 方法 | ||
1.一种半导体衬底的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供支撑衬底；
提供第一反应气体，所述第一反应气体中含有III族元素与卤族元素；
提供第二反应气体，所述第二反应气体中含有稀土元素与卤族元素；
提供第三反应气体，所述第三反应气体中含有V族元素；
将第一、第二和第三反应气体相互混合；
加热支撑衬底并将混合后的气体通过加热的支撑衬底表面，从而在支撑衬底表面形成由III族和V族元素构成的半导体层，所述半导体层掺杂有稀土元素，且所述半导体层的厚度不小于20微米。
2.根据权利要求1所述的半导体衬底的生长方法，其特征在于，所述稀土元素选自于Er、Eu、Pr、Tm、Ce、Nd、Sm、Gd、Pm、Gd、Tb、Dy、Ho、Yb和Lu中的一种或者多种。
3.根据权利要求1所述的半导体衬底的生长方法，其特征在于，所述III族元素选自于Ga、Al和In中的一种或多种，所述V族元素选自于N、P和As中的一种或多种，所述卤族元素选自于氯和溴中的一种或两种。
4.根据权利要求1至3任意一项所述的半导体衬底的生长方法，其特征在于，所述半导体层的厚度不小于80微米。
5.根据权利要求4所述的半导体衬底的生长方法，其特征在于，所述半导体衬底的生长方法进一步包括去除支撑衬底的步骤。
6.根据权利要求1至3任意一项所述的半导体衬底的生长方法，其特征在于，所述混合后的气体中，V族元素与III族元素的分子数目比例范围是1至1000。
7.根据权利要求1至3任意一项所述的半导体衬底的生长方法，其特征在于，所述支撑衬底的材料选自于蓝宝石、Si和铝酸锂中的一种。
8.根据权利要求1至3任意一项所述的半导体衬底的生长方法，其特征在于，所述加热支撑衬底的步骤中，加热的温度范围是500至1200℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
