[发明专利]形成相变材料的装置以及制造相变存储器的系统

权利要求书

1.一种形成相变材料的装置，其特征在于，所述相变材料为气态的含氢硫族化物，所述装置至少包括：

反应室，用于承载第一反应物以及提供反应场所以产生所述相变材料；

牵引控制单元，用于牵引第二反应物，使其在所述反应室中与所述第一反应物进行反应并控制两者的反应速度。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述反应室至少包括承液槽，用于承载液态的第一反应物。

3.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述第一反应物为液态的还原剂。

4.如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述第一反应物为盐酸或磷酸溶液。

5.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述反应室中的反应压强为0-1个标准大气压，反应温度为20-80摄氏度。

6.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述牵引控制单元至少包括用于牵引固态的第二反应物的部件。

7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述第二反应物为含至少具有锗、砷、硅、锑和碲之一离子的固态盐。

8.如权利要求7所述的装置，其特征在于，所述第二反应物为镁或铝的碲化物。

9.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述牵引控制单元包括：

控制单元，用于产生对所述第二反应物与所述第一反应物的接触面积进行调整的调节信号；

调节执行部件，用于根据所述调节信号，调节所述第二反应物与所述第一反应物的接触面积；

连接部件，用于连接所述第二反应物与所述调节执行部件。

10.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述控制单元包括：

测量单元，用于测量所述反应室中的压强；

调节信号产生单元，用于根据所述压强，产生所述调节信号。

11.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述牵引控制单元包括：

测量单元，用于测量所述反应室中的反应压强；

控制单元，用于根据所述测量单元的测量结果，产生控制信号；

调节部件，用于连接所述第二反应物，并根据所述控制信号，控制所述第二反应物与所述第一反应物的接触面积。

12.如权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括温度控制单元，用于控制所述反应室内的反应温度。

13.如权利要求12所述的装置，其特征在于，所述温度控制单元包括：

测量单元，用于测量所述反应室中的反应温度；

调节单元，用于根据所述测量单元获得的结果，对所述反应室中的反应温度进行调节。

14.如权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括压强控制单元，用于对所形成的气态的硫族化物的输出压强进行控制。

15.如权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括净化单元，连接于所述反应室和所述压强控制单元之间，用于对所形成的气态硫族化物进行净化，过滤其中的杂质气体。

16.一种应用如权利要求1-15所述任一项形成相变材料的装置的制造相变存储器的系统，其特征在于，还包括沉积装置，用于与所述形成相变材料的装置相连接，接收其输出的作为相变材料的气态的硫族化物，并根据所述相变材料，形成相变存储器的相变材料层；其中，所述沉积装置的接收管道上具有多个输送气体的分支管道，用于对多种气态的硫族化物和掺杂气体进行分离和浓度控制。

17.如权利要求16所述的系统，其特征在于，所述形成相变材料的装置的输出口与所述沉积装置输入口之间的距离不超过两米。

18.如权利要求16所述的系统，其特征在于，所述沉积装置根据不同的相变材料层形成方法，相应地包括不同的反应室。

19.如权利要求16所述的系统，其特征在于，还包括等离子体增强单元，用于将各个气态的硫族化物以及掺杂气体进行等离子体增强，并将经等离子体增强后的各个气态硫族化物及掺杂气体分别输出至对应的分支管道。