[发明专利]镁液净化温度可调节输送坩埚无效

专利信息
申请号: 200910054593.9 申请日: 2009-07-09
公开(公告)号: CN101603777A 公开(公告)日: 2009-12-16
发明(设计)人: 曾小勤;林凌;丁文江;彭立明 申请(专利权)人: 上海交通大学;上海轻合金精密成型国家工程研究中心有限公司
主分类号: F27B14/10 分类号: F27B14/10;F27B14/12;F27B14/20;C22C1/02;C22C23/00
代理公司: 上海交达专利事务所 代理人: 王锡麟;王桂忠
地址: 200240*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 净化 温度 调节 输送 坩埚
【说明书】:

技术领域

本发明涉及的是一种材料加工领域的装置,具体是一种镁液净化温度可调节输送坩埚。

背景技术

熔炼是镁合金铸造生产中最重要和最基础的环节。熔炼效果的好坏,影响到合金液中夹杂物的含量以及镁液的温度,进而决定了铸件的质量。受航空航天、交通运输、国防军工等国民经济支柱产业需求的牵引,铸造技术的应用日益广泛。同时,随着对铸件质量和尺寸要求的提高,对熔炼和控温的要求越来越严格。熔炼效果主要决定于熔炼炉本身,关键的两个因素是去镁液中的夹杂物及输送过程中的控温。传统的熔炼炉是通过加入精炼剂的方式让夹杂物沉降在坩埚底部,只能去除一部分夹杂,另外精炼剂也会污染镁液,而采用氧化镁泡沫陶瓷过滤器净化可以保证合金液不受污染,而且便于更换。另一方面,传统的熔炼炉设计思路中没有将调温输送镁液纳入考虑范围,以致镁液从坩埚到压铸机的过程中热量损失过大,浇注温度无法控制,而使用电阻式加热控温装置可保证镁液在输送过程中温度的恒定。

经对现有技术的文献检索发现,中国发明专利申请号200410013710,发明名称:专用于镁合金熔炼的坩埚,该技术采用具有部分斜底的矩形结构的箱体,具有熔化效率高,熔炼操作简便等特点。但是,该技术主要有两方面的缺陷;一是未集成净化镁液的装置,二是在镁液的输送过程中,没有安装温度调节系统。

发明内容

本发明针对现有技术存在的上述不足,提供一种镁液净化温度可调节输送坩埚,能够提高合金液的纯净度并保证传输过程中合金液的温度恒定,其操作方便、结构简单、更换便利、寿命长、使用面广。

本发明是通过以下技术方案实现的,本发明包括:埚体、埚盖、前隔板、后隔板和温控装置,其中:前隔板竖直固定设置于埚体底部,温控装置设置于埚体外部并与埚盖相连接,后隔板竖直固定于埚体内部并与埚盖和埚体组成前模腔和后模腔。

所述的埚体为左右对称的梯形结构,埚体的两侧斜面与底面的夹角为50°~70°,该斜面与底面的边角弧长为50~150mm。

所述的埚盖的尺寸与埚体的上端面的尺寸相匹配。

所述的前隔板具体位于前模腔的中部,前隔板与后隔板之间的前模腔内设有过滤器,前隔板的另一侧的前模腔内设有镁块。

所述的过滤器为氧化镁泡沫陶瓷过滤器。

所述的温控装置包括:液压泵、温控管和电源,其中:液压泵与埚盖相连接并与后模腔相连通,温控管设置与液压泵的输出端,电源的两端分别与温控管的两端相连接。

所述的温控管包括:石棉层和钢管层,其中:石棉层包覆于钢管层的外部。

所述的电源一极通过导线固定连接至温控管的一端,电源的另一极通过导线活动连接于温控管的另一端。

所述的前模腔内设有SF6气体。

所述埚体的内表面设有氧化镁陶瓷片,以防止埚体本身对镁液的污染。

本发明采用氧化镁泡沫陶瓷过滤器对镁液进行过滤,具有显著的净化镁液的效果,并且借助外接电源使钢管发热,实现输送过程中的温度调节。整个装置结构简单易行、操作方便、更换便利、寿命长、实用面广,可用于各种镁合金,方便地实现净化镁液和调节温度的作用,只需定时更换氧化镁泡沫陶瓷过滤器,生产效率高,使用成本低。

附图说明

图1为本发明的立体图。

图2为实施例剖面图。

图3为温控管的剖面图。

具体实施方式

下面对本发明的实施例作详细说明,本实施例在以本发明技术方案为前提下进行实施,给出了详细的实施方式和具体的操作过程,但本发明的保护范围不限于下述的实施例。

如图1和图2所示,本实施例包括:埚体1、埚盖2、前隔板3、后隔板4和温控装置5,其中:前隔板3竖直焊接于埚体1底部,温控装置5设置于埚体1外部并与埚盖2相连接,后隔板4竖直焊接于埚体1的内壁并与埚盖2和埚体1组成前模腔6和后模腔6。

所述的埚体1宽度为500mm,长度为2250mm,高度为750mm,该埚体1为左右对称的梯形结构,埚体1的两侧斜面与底面的夹角为60°,该斜面与底面的边角弧长为100mm,埚盖2的尺寸与埚体1上端面的尺寸相匹配

所述的前隔板3具体位于前模腔6的中部,前隔板3与后隔板4之间的前模腔6内设有过滤器7,前隔板3的另一侧的前模腔6内设有镁块8,该前隔板3的高度为埚体1的深度的1/2。

所述的后隔板4的高度为埚体1的深度的2/3。

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