[发明专利]CMOS图像传感器的制造方法有效
| 申请号： | 200910049562.4 | 申请日： | 2009-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN101866883A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 罗飞;邹立 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/027;H01L27/146;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 制造 方法 | ||
1.一种CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，包括：
提供像素单元版图；所述像素单元版图包括光电二极管有源区，晶体管有源区，晶体管栅极区；
对所述版图的晶体管栅极区进行手动光学邻近修正，得到修正栅极区后的像素单元版图；
根据修正栅极区后的像素单元版图对光电二极管有源区和晶体管栅极区进行优化，所述优化的像素单元版图的光电二极管有源区面积大于所述像素单元版图的光电二极管有源区面积；
根据优化后的像素单元版图制备像素单元。
2.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，所述像素单元版图为三个晶体管的像素单元或者四个晶体管的像素单元。
3.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，所述的晶体管栅极区为矩形或者正方形。
4.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，所述手动光学邻近修正用于多个矩形并行排列的图形。
5.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，所述手动光学邻近修正用于矩形与正方形混合并行排列的图形。
6.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，对所述版图的晶体管栅极区进行手动光学邻近修正包括，得到多个在矩形或者方形图形的角添加辅助图形的版图，对添加辅助图形的版图进行模拟曝光或者实际曝光，得到曝光效果最佳的添加了辅助图形的版图。
7.如权利要求6所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，所述的辅助图形为正方形或者矩形。
8.如权利要求6所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，所述辅助图形的参数为手动光学邻近修正系统根据原始版图、曝光设备、光阻类型、数值孔径、曝光能量、聚焦深度生成。
9.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，所述根据修正栅极区后的像素单元版图对光电二极管有源区进行优化步骤为根据修正栅极区后的像素单元版图，缩减栅极区宽度，并相应的增加光电二极管有源区宽度。
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