[发明专利]多晶硅淀积工艺无效
| 申请号： | 200910049073.9 | 申请日： | 2009-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN101859699A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 汪大祥;孔天午;刘启星;刘丽;钱慧;胡竹平;蒋丽萍;杨青森 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/311;H01L21/22;C23C16/44 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 20023*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 硅淀积 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种多晶硅淀积工艺，用于填充具有高深宽比的孔，其特征在于，该工艺包括：
在高温下向所述孔中通入氢气去除孔表面的氧化层；
在高温下向所述孔中通入掺杂气体对孔壁进行掺杂及扩散；
降低温度；
在低温下进行多晶硅淀积，所述多晶硅淀积是分阶段进行，且不同的阶段具有不同的多晶硅生长速率。
2.如权利要求1所述的多晶硅淀积工艺，其特征在于，
在淀积多晶硅的过程中，使用氢气作为携带气体，硅烷作为硅源气体。
3.如权利要求1所述的多晶硅淀积工艺，其特征在于，
所述通入的掺杂气体为磷烷或硼烷。
4.如权利要求1所述的多晶硅淀积工艺，其特征在于，
所述分阶段进行多晶硅淀积中，初始阶段多晶硅具有高生长速率。
5.如权利要求4所述的多晶硅淀积工艺，其特征在于，
所述分阶段进行多晶硅淀积中，通过调节硅源气体的流量和控制压力来调整多晶硅生长速率。
6.如权利要求1所述的多晶硅淀积工艺，其特征在于，
所述的多晶硅淀积工艺用于外延设备。
7.如权利要求1所述的多晶硅淀积工艺，其特征在于，
所述多晶硅淀积工艺淀积N型或P型多晶硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
