[发明专利]一种次晶有序排列的铌酸盐无铅压电陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.一种次晶有序排列的铌酸盐无铅压电陶瓷，其化学式为 [K_0.44Na_(0.56-x)Li_x][Nb_(0.95-x)Sb_xTa_0.05]O₃，其中，0≤x≤0.56，其由晶粒团组成，各 晶粒团的尺度在10～1000μm，各晶粒团由数目为10-400个的次晶粒有序排列构 成，各次晶粒的尺度为1-3μm。

2.一种按权利要求1所述的次晶有序排列的铌酸盐无铅压电陶瓷的制备方 法，包括下述步骤：

(1)按照化学式为[K_0.44Na_(0.56-x)Li_x][Nb_(0.95-x)Sb_xTa_0.05]O₃，其中0≤x≤0.56， 进行配料，湿法混合后干燥并过筛，所用原料为Li₂CO₃、Na₂CO₃、K₂CO₃、Nb₂O₅、 Sb₂O₃和Ta₂O₅粉体；

(2)将步骤(1)所得粉末，经500-800℃，4-10小时热处理；

(3)添加占粉末料重8-25wt％的粘合剂混合成型，于500-700℃热处理；

(4)经7-15℃/min升温至1000～1100℃保温1～6h烧结。

3.按权利要求2所述的一种次晶有序排列的铌酸盐无铅压电陶瓷的制备方 法，其特征在于，所述的粘合剂为PVA。

4.按权利要求2所述的一种次晶有序排列的铌酸盐无铅压电陶瓷的制备方 法，其特征在于，所述的粘合剂的浓度为5wt％。