[发明专利]一种大直径硅晶体生长装置

权利要求书

1.一种大直径硅晶体生长装置，包括保温系统、加热系统、导流系统及支撑装置，所述的保温系统上部设有保温盖板及炉底保温结构，其特征在于：所述的保温盖板采用双层结构，即互相叠合的上保温盖板(1)和下保温盖(2)，在所述的上保温盖板(1)和下保温盖(2)之间的空隙部分，填充石墨碳毡。

2.按照权利要求1所述的大直径硅晶体生长装置，其特征在于：所述的炉底保温结包括构炉底挡圈(12)及炉底压片(13)，在所述的构炉底挡圈(12)及炉底压片(13)的下面，设置石墨碳毡。

3.按照权利要求1或2所述的大直径硅晶体生长装置，其特征在于：所述的导流系统设气向导流装置，所述的气向导流装置采用双层结构，即外导流筒(4)和内导流筒(5)。

4.按照权利要求3所述的大直径硅晶体生长装置，其特征在于：在所述的外导流筒(4)和内导流筒(5)之间，填充石墨碳毡。

5.按照权利要求4所述的大直径硅晶体生长装置，其特征在于：所述的外导流筒(4)和内导流筒(5)构成锥度结构。

6.按照权利要求4或5所述的大直径硅晶体生长装置，其特征在于：所述的外导流筒(4)的锥度大于内导流筒(5)的锥度。

7.按照权利要求1或2或4或5所述的大直径硅晶体生长装置，其特征在于：所述的导流系统中，设排气套筒(16)，所述的排气套筒(16)设在炉筒下部的炉底挡圈(12)位置，将炉内腔与真空泵管道连通。