[发明专利]高红外辐射率堇青石陶瓷基片及制备工艺和高红外辐射率电热复合陶瓷发热片无效
| 申请号： | 200910030628.5 | 申请日： | 2009-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN101538151A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 焦永峰;洑义达;陆婵娟 | 申请（专利权）人： | 江苏省陶瓷研究所有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/195 | 分类号： | C04B35/195;C04B35/622;H05B3/22 |
| 代理公司： | 宜兴市天宇知识产权事务所 | 代理人： | 李妙英 |
| 地址： | 2142*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 红外 辐射 青石 陶瓷 制备 工艺 电热 复合 发热 | ||
1.高红外辐射率堇青石陶瓷基片，为固溶体型堇青石体系，其特征在于组份原料的重量百分配比为33-38％ Al2O3、42-47％ SiO2、10-15％ Mg(OH)2、1-8％ ZnO。
2.根据权利要求1所述的高红外辐射率堇青石陶瓷基片，其特征在于陶瓷基片的表面形状是圆形或矩形。
3.根据权利要求2所述的高红外辐射率堇青石陶瓷基片，其特征在于圆形基片直径为40mm-300mm，矩形基片长宽为40-300mm。
4.根据权利要求1所述的高红外辐射率堇青石陶瓷基片，其特征在于陶瓷基片的厚度为3-10mm。
5.根据权利要求1、2、3、4之一所述的高红外辐射率堇青石陶瓷基片的制备工艺，其特征在于将原料各组份按配比混合、球磨、干燥、造粒和成型，然后一次烧成制得。
6.根据权利要求5所述的制备工艺，其特征在于球磨时间为2-3小时，干燥温度为80-120℃，烧结温度为1280-1350℃，保温0.5-2小时。
7.根据权利要求5所述的高红外辐射率堇青石陶瓷基片，其特征在于陶瓷基片的成型是压制或注浆成型。
8.高红外辐射率电热复合陶瓷发热片，其特征在于在权利要求1、2、3、4之一所述的高红外辐射率堇青石陶瓷基片一侧表面复合一层电热膜，电热膜两端制作有金属电极。
9.根据权利要求8所述的高红外辐射率电热复合陶瓷发热片，其特征在于电热膜是ATO电热膜或金属复合电热膜或导电陶瓷。
10.根据权利要求8所述的高红外辐射率电热复合陶瓷发热片，其特征在于电极是银或铝金属电极。
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