[发明专利]准一维金属氧化物纳米材料生物传感器及其制作方法有效

专利信息
申请号: 200910030340.8 申请日: 2009-03-19
公开(公告)号: CN101592626A 公开(公告)日: 2009-12-02
发明(设计)人: 张蓓蓓;苏瑞巩;刘海滨;李宁;程国胜 申请(专利权)人: 苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: G01N27/327 分类号: G01N27/327;B81B7/02;H01L29/78;B82B1/00;B81B1/00;B81C5/00
代理公司: 南京苏科专利代理有限责任公司 代理人: 陈忠辉
地址: 215125江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 准一维 金属 氧化物 纳米 材料 生物 传感器 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种准一维金属氧化物纳米材料生物传感器的制作方法,其特征 在于:包括以下步骤:

(1)合成准一维金属氧化物半导体纳米材料;

(2)采用微纳光刻蚀标准工艺及自下而上的方法制作准一维金属氧 化物半导体纳米材料及其阵列的场效应晶体管;

(3)利用聚二甲基硅氧烷制作出微流体通道;

(4)对准一维金属氧化物半导体纳米材料进行表面改性,通过自组 装的方法修饰与生物探针分子结合的连接物单分子层,通过连接物分子在 纳米材料表面连接生物探针分子,用以检测疾病的标志性分子。

2.根据权利要求1所述的准一维金属氧化物纳米材料生物传感器的 制作方法,其特征在于:所述准一维金属氧化物半导体纳米材料的合成采 用溶剂热方法或CVD方法合成。

3.根据权利要求1所述的准一维金属氧化物纳米材料生物传感器的 制作方法,其特征在于:所述采用微纳光刻蚀标准工艺及自下而上的方法 制作准一维金属氧化物半导体纳米材料及其阵列的场效应晶体管,具体步 骤为:

1)清洗硅片,并通过热生长的方法在硅片表面形成一层100~400纳 米厚度的二氧化硅氧化层;

2)通过深紫外光刻的方法制作出背栅电极位置,用5:1氢氟酸缓冲 液腐蚀二氧化硅得到背栅;

3)将准一维金属氧化物半导体纳米材料用异丙醇制成悬液,将悬液 放置于衬底上,随后使溶液蒸发,即将纳米材料固定于衬底之上;

4)先用深紫外曝光的方法,再溅射厚度为2000nm/10nm/40nm的 Al/Ni/Au金属层,得到栅极;用深紫外曝光的方法,得到源漏极位置,再 溅射厚度为2000nm/10nm/50nm的Al/Ti/Au金属层,得到源极、漏极。

4.根据权利要求1所述的准一维金属氧化物纳米材料生物传感器的 制作方法,其特征在于:所述利用聚二甲基硅氧烷制作微流体通道,具体 步骤为:

1)利用光刻的方法在器件上制作得到微流体通道模具;

2)将聚二甲基硅氧烷预聚体倒在微流通道模具上,浇筑模型,使之 聚合;

3)将聚合好的聚二甲基硅氧烷转移到制作好的器件上,对准并键合。

5.根据权利要求1所述的准一维金属氧化物纳米材料生物传感器的 制作方法,其特征在于:所述准一维金属氧化物半导体纳米材料的表面改 性,具体步骤为:

1)将器件依次在三氯乙烯、丙酮、乙醇中超声清洗,再将其放置于 UV/O3清洗机或O2等离子体清洗机中清洗;

2)清洗干净的器件置于膦酸酯烷酸的二甲基亚砜溶液或甲醇溶液中 室温放置24~48小时,在纳米材料表面实现功能基团的自组装层;

3)将器件放置于50~200nmol/L的N-羟基琥珀酰亚胺与1-乙基-(3- 二甲氨基丙基)碳二亚胺的水溶液中,使膦酸酯分子的端基与生物探针分 子的基团反应,从而与抗体、DNA/RNA探针的连接。

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