[发明专利]N沟道超结纵向双扩散金属氧化物半导体管无效
| 申请号： | 200910030064.5 | 申请日： | 2009-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN101552291A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | 孙伟锋;祝靖;钱钦松;宋慧滨;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陆志斌 |
| 地址： | 21009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟道 纵向 扩散 金属 氧化物 半导体 | ||
1.一种N沟道超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N 型掺杂硅衬底(1)、N型掺杂硅外延层(2)、原胞区域(13)和设在原胞区域(13) 周围的终端区域(14)，所述的N型掺杂硅外延层(2)设在N型掺杂硅衬底(1) 上，原胞区域(13)和终端区域(14)设在N型掺杂硅外延层(2)上，所述的 终端区域(14)包括第一超结结构和N型硅掺杂半导体区(2)，其中第一超结 结构包括P型柱(4)和N型柱(3)，在N型硅掺杂半导体区(2)中设有N型 重掺杂半导体区(16)，在第一超结结构和N型硅掺杂半导体区(2)上设有场 氧化层(10)，在N型重掺杂半导体区(16)上连接有金属层(11)，其特征在 于在第一超结结构和N型硅掺杂半导体区(2)下设有埋氧化层(15)。
2.根据权利要求1所述的N沟道超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，其 特征在于埋氧化层(15)从N型硅掺杂半导体区(2)的下方区域一直延伸到第 一超结结构的下方区域。
3.根据权利要求1所述的N沟道超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，其 特征在于原胞区域(13)包括第二超结结构，其中第二超结结构包括P型柱(4) 和N型柱(3)，在第二超结结构的P型柱(4)上设有P型掺杂硅半导体区(5) 且P型掺杂硅半导体区(5)延伸进入与第二超结结构的P型柱(4)相邻的第 二超结结构的N型柱(3)内，在P型掺杂硅半导体区(5)中设有N型重掺杂 源区(6)，在第二超结结构、P型掺杂硅半导体区(5)及N型重掺杂源区(6) 表面设有栅氧化层(7)，在栅氧化层(7)上设有多晶硅栅(8)且多晶硅栅(8) 位于第二超结结构的N型柱(3)上方，在多晶硅栅(8)上设有场氧化层(10)， 在N型重掺杂源区(6)上连接有源极金属层(9)。
4.根据权利要求1所述的N沟道超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，其 特征在于原胞区域(13)中的P型柱(4)的宽度等于终端区域(14)中的P型 柱(4)的宽度。
5.根据权利要求1所述的N沟道超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，其 特征在于该半导体管由N型掺杂硅衬底(1)、N型掺杂硅外延层(2)、原胞区 域(13)和设在原胞区域(13)周围的终端区域(14)组成。
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