[发明专利]基于CVD法制备长矛状ZnO纳米/微米结构的方法无效
| 申请号： | 200910024217.5 | 申请日： | 2009-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN101671815A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 张景文;王东;胡亚楠;李高明;侯洵 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C30B29/16;C30B28/14 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 cvd 法制 长矛 zno 纳米 微米 结构 方法 | ||
1、基于CVD法制备长矛状ZnO纳米/微米结构的方法，其特征在于：
(1)设置程控扩散炉工作参数：设置本底真空度为1.2Pa、最高加热温度为1100℃；程控扩散炉使用石英反应炉管；调节载气为Ar气，调节阀门控制流量为10-40sccm，Ar气压保持在1-3×103Pa；Ar气纯度＞99.999％；基底材料为100面的p型Si，基底温度设定为400-700℃；蒸发源的加热温度为800-1000℃，蒸发源质量为5-20克；
(2)制备蒸发源：将高纯ZnO粉末和高纯C粉按摩尔比1∶2混合均匀得到混合物，以此混合物作为程控扩散炉的蒸发源；
(3)制备ZnO纳米/微米结构：将步骤(2)所述蒸发源置于程控扩散炉中，启动程控扩散炉加热蒸发源获得ZnO纳米/微米结构；所述ZnO纳米/微米结构的生长时间为1-3小时。
2、如权利要求1所述基于CVD法制备长矛状ZnO纳米/微米结构的方法，其特征在于：所述步骤(2)中：高纯ZnO粉末是指纯度＞99.999％的ZnO粉末，高纯C粉是指纯度＞99.999％的C粉，将蒸发源温度加热到800℃、900℃或1000℃。
3、如权利要求1所述基于CVD法制备长矛状ZnO纳米/微米结构的方法，其特征在于：所述步骤(4)中：基底温度400℃、500℃、600℃或700℃。
4、如权利要求1所述基于CVD法制备长矛状ZnO纳米/微米结构的方法，其特征在于：所述步骤(5)中：ZnO纳米结构的生长时间为1-1.5小时；ZnO微米结构的生长时间为1.5-3小时。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
