[发明专利]一种分步烧结反应制备碳掺杂MgB2超导体的方法

权利要求书

1.一种分步烧结反应制备碳掺杂MgB₂超导体的方法，其特征在于该方法过程为：

(1)将干燥的镁、硼和C粉末按照原子数比Mg∶B∶C＝1∶(4-x)∶x的比例充分混合1～2小时，其中x＝0.05～0.3，混合后的粉末用油压机压制成片或块；将压制的片或块置于真空退火炉中进行烧结，于室温下抽真空，然后充入纯氩气或氩气和氢气的混合气，混合气中氩气和氢气的体积百分比为19∶1，然后以50～70℃/分钟的升温速率加热，在600～1000℃的温度下保温1～10小时，最后以20～35℃/分钟的冷却速率冷却至室温；

(2)将步骤(1)中烧结得到的片或块进行破碎，然后向其中添加金属镁粉，得到原子数比Mg∶(B+C)＝1∶2的混合粉末，将所述混合粉末用油压机压制成片或块，将压制的片或块置于真空退火炉中进行二次烧结，于室温下抽真空，然后充入纯氩气或氩气和氢气的混合气，混合气中氩气和氢气的体积百分比为19∶1，以50～70℃/分钟的升温速率加热，在600～1000℃的温度下保温1～10小时，最后以20～35℃/分钟冷却速率冷却至室温，便制成碳掺杂MgB₂超导体。

2.根据权利要求1所述的一种分步烧结反应制备碳掺杂MgB₂超导体的方法，其特征在于步骤(1)中所述片或块的直径为Φ20mm。

3.根据权利要求1所述的一种分步烧结反应制备碳掺杂MgB₂超导体的方法，其特征在于步骤(2)中所述碳掺杂MgB₂超导体的超导转变温度不低于38K。