[发明专利]一种电流匹配和晶格匹配的高效率三结太阳电池无效
| 申请号： | 200910019869.X | 申请日： | 2009-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN101533862A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 林桂江;黄生荣;丁杰;吴志敏;吴志强 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/0304 |
| 代理公司： | 厦门原创专利事务所 | 代理人： | 徐东峰 |
| 地址： | 361009福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电流 匹配 晶格 高效率 太阳电池 | ||
【权利要求书】：
1.一种电流匹配和晶格匹配的高效率三结太阳电池，包括一个Ge底电池，一个中间电池，一个顶电池和其间的隧穿结，其特征在于：中间电池基区由p型Ga1-xInxAs层和应变补偿p型GaAsP/Ga1-y，InyAs超晶格共同构成，带隙为1.65～1.75eV的AlxGa1-xAs电池做为三结电池的顶电池，同时满足晶格匹配和短路电流匹配条件。
2.如权利要求1所述的一种电流匹配和晶格匹配的高效率三结太阳电池，其特征在于：AlxGa1-xAs顶电池带隙优选值为1.73eV，x＝0.25。
3.如权利要求1所述的一种电流匹配和晶格匹配的高效率三结太阳电池，其特征在于：中间电池基区Ga1-xInxAs层的In组分x为0.008～0.013，Ga1-xInxAs层厚度为0.5～1μm。
4.如权利要求1所述的一种电流匹配和晶格匹配的高效率三结太阳电池，其特征在于：GaAsP/Ga1-yInyAs超晶格中Ga1-yInyAs阱材料的In组分y为0.16～0.2，阱材料厚度为4～6nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
