[发明专利]晶片对准的方法

权利要求书

1.一种晶片对准的方法，包含：

提供晶片，包含第一材料层和第二材料层，该第一材料层包含第一对准标记，其特征在于，该第二材料层位于该第一材料层上；

于曝光机台中，以该第一对准标记为基准，图案化该第二材料层，以于该第二材料层上形成第二对准标记；

于该曝光机台中，测量该第二对准标记和该第一对准标记之间的偏移量；以及

通过该第二对准标记和该第一对准标记之间的偏移量，重新设定曝光参数。

2.如权利要求1的晶片对准的方法，其特征在于，该第一材料层为硅基底、导电层或绝缘层。

3.如权利要求1或2的晶片对准的方法，其特征在于，该第二材料层为光致抗蚀剂层。

4.如权利要求1或2的晶片对准的方法，其特征在于，该第一对准标记为凹陷于该第一层材料层的凹槽结构。

5.如权利要求4的晶片对准的方法，其特征在于，该第二对准标记为凸出于该第一层材料层表面的凸出结构。

6.如权利要求4的晶片对准的方法，其特征在于，该第二对准标记为凹陷于该第二层材料层表面的沟槽结构。

7.如权利要求1的晶片对准方法，其特征在于，该第二材料层的图案化步骤包括：

以该第一对准标记为基准，对准该晶片于该曝光机台的放置位置；

于该曝光机台中进行曝光工艺，以将该第二材料层曝光；以及

对该第二材料层进行显影工艺。