[发明专利]磁记录再现头以及磁记录再现装置无效

专利信息
申请号: 200910005841.0 申请日: 2009-02-05
公开(公告)号: CN101510427A 公开(公告)日: 2009-08-19
发明(设计)人: 椎本正人;中川健;片田裕之;伊藤直人;目黑贤一 申请(专利权)人: 株式会社日立制作所
主分类号: G11B5/39 分类号: G11B5/39;G11B5/012;G01R33/09
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 许海兰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 记录 再现 以及 装置
【权利要求书】:

1.一种磁记录再现头,其特征在于,具有再现头和与上述再现头邻接配置的记录头,该再现头具有:从基板侧依次层叠了具有第一自由层的第一磁阻效应元件、差动间隙层、具有第二自由层的第二磁阻效应元件的层叠结构;配置在上述层叠结构的外侧的一对电极;以及配置在上述电极的外侧的一对磁屏蔽,上述第一磁阻效应元件与上述第二磁阻效应元件相对同一方向磁场具有逆相的电阻变化,从而进行差动动作,

上述第一自由层与上述第二自由层的内侧的距离和作为磁记录介质的物理长度的记录位长之比为0.6以上1.6以下。

2.根据权利要求1所述的磁记录再现头,其特征在于,上述第一自由层与上述第二自由层的内侧的距离和上述记录位长之比为0.8以上1.4以下。

3.根据权利要求1所述的磁记录再现头,其特征在于,上述记录头为具备主磁极和副磁极的垂直记录用头。

4.根据权利要求3所述的磁记录再现头,其特征在于,在上述主磁极的尾部侧具有尾部屏蔽,在轨道宽度方向的两侧具有侧面屏蔽。

5.根据权利要求4所述的磁记录再现头,其特征在于,还在上述主磁极的头部侧具有头部屏蔽。

6.根据权利要求1所述的磁记录再现头,其特征在于,上述第一磁阻效应元件为从上述基板依次层叠了第一固定层、第一中间层、第一自由层的层叠膜,

上述第二磁阻效应元件为从上述基板依次层叠了第二自由层、第二中间层、第二固定层的层叠膜。

7.根据权利要求1所述的磁记录再现头,其特征在于,上述第一磁阻效应元件为从上述基板依次层叠了第一自由层、第一中间层、第一固定层的层叠膜,

上述第二磁阻效应元件为从上述基板依次层叠了第二固定层、第二中间层、第二自由层的层叠膜。

8.根据权利要求1所述的磁记录再现头,其特征在于,上述差动间隙层由从Cr、Cu、Pd、Ag、Ir、Pt、Au、Mo、Ru、Rh、Ta、W、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er的组中选择的至少一种元素或包含这些元素的合金构成。

9.一种磁记录再现头,其特征在于,具有再现头和与上述再现头邻接配置的记录头,该再现头具有:从基板侧依次层叠了具有第一自由层的第一磁阻效应元件、差动间隙层、具有第二自由层的第二磁阻效应元件的层叠结构;配置在上述层叠结构的外侧并且兼作一对电极的一对磁屏蔽,上述第一磁阻效应元件与上述第二磁阻效应元件相对同一方向磁场具有逆相的电阻变化,从而进行差动动作,

上述第一自由层与上述第二自由层的内侧的距离和作为磁记录介质的物理长度的记录位长之比为0.6以上1.6以下。

10.一种磁记录再现头,其特征在于,具有再现头和与上述再现头邻接配置的记录头,该再现头具有:从基板侧依次层叠了具有第一自由层的第一磁阻效应元件、差动间隙层、具有第二自由层的第二磁阻效应元件的层叠结构;为了使电流沿着上述第一磁阻效应元件与第二磁阻效应元件的膜面方向独立地流过而配置于上述层叠结构的两侧的二对电极;以及配置在上述层叠结构的外侧的一对磁屏蔽,上述第一磁阻效应元件与上述第二磁阻效应元件相对同一方向磁场具有逆相的电阻变化,从而进行差动动作,

上述第一自由层与上述第二自由层的内侧的距离和作为磁记录介质的物理长度的记录位长之比为0.6以上1.6以下。

11.根据权利要求10所述的磁记录再现头,其特征在于,上述第一自由层与上述第二自由层的内侧的距离和上述记录位长之比为0.8以上1.4以下。

12.根据权利要求10所述的磁记录再现头,其特征在于,上述第一磁阻效应元件为从上述基板依次层叠了第一固定层、第一中间层、第一自由层的层叠膜,

上述第二磁阻效应元件为从上述基板依次层叠了第二自由层、第二中间层、第二固定层的层叠膜。

13.根据权利要求10所述的磁记录再现头,其特征在于,上述第一磁阻效应元件为从上述基板依次层叠了第一自由层、第一中间层、第一固定层的层叠膜,

上述第二磁阻效应元件为从上述基板依次层叠了第二固定层、第二中间层、第二自由层的层叠膜。

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