[发明专利]倾斜磁场线圈、磁共振成像装置、以及倾斜磁场线圈的制造方法有效

专利信息
申请号: 200910005095.5 申请日: 2009-01-23
公开(公告)号: CN101556855A 公开(公告)日: 2009-10-14
发明(设计)人: 坂仓良知 申请(专利权)人: 株式会社东芝;东芝医疗系统株式会社
主分类号: H01F5/02 分类号: H01F5/02;H01F41/06;G01R33/385;G01R33/387
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 吴丽丽
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 倾斜 磁场 线圈 磁共振 成像 装置 以及 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种倾斜磁场线圈,其特征在于包括:

圆筒状的线圈架;

将导体以多匝卷绕在上述线圈架上而形成的绕组部分,其中

上述绕组部分包括:

在上述线圈架的圆周方向上将上述导体相对于上述线圈架的轴垂 直卷绕的第一绕组部分;

在上述线圈架的圆周方向上将上述导体相对于上述线圈架的轴倾 斜地卷绕为螺旋状的第二绕组部分。

2.根据权利要求1所述的倾斜磁场线圈,其特征在于:

上述第一绕组部分被设置在按照比规定值疏的间隔卷绕上述导体 的各匝的区域中,

上述第二绕组部分被设置在按照比上述规定值密的间隔卷绕上述 导体的各匝的区域中。

3.根据权利要求1所述的倾斜磁场线圈,其特征在于:

上述倾斜磁场线圈是构成能动屏蔽型倾斜磁场线圈的主线圈和屏 蔽线圈的至少一个。

4.根据权利要求2所述的倾斜磁场线圈,其特征在于:

上述倾斜磁场线圈是构成能动屏蔽型倾斜磁场线圈的主线圈和屏 蔽线圈的至少一个。

5.根据权利要求1所述的倾斜磁场线圈,其特征在于:

在上述倾斜磁场线圈被用于构成能动屏蔽型倾斜磁场线圈的主线 圈和屏蔽线圈的至少一个的情况下,

上述第一绕组部分被设置在漏磁比规定的值大的区域中,

上述第二绕组部分被设置在漏磁比上述规定的值小的区域中。

6.根据权利要求2所述的倾斜磁场线圈,其特征在于:

在上述倾斜磁场线圈被用于构成能动屏蔽型倾斜磁场线圈的主线 圈和屏蔽线圈的至少一个的情况下,

上述第一绕组部分被设置在漏磁比规定的值大的区域中,

上述第二绕组部分被设置在漏磁比上述规定的值小的区域中。

7.根据权利要求1所述的倾斜磁场线圈,其特征在于:

上述第一绕组部分被设置在上述线圈架的中央部分,

上述第二绕组部分与上述第一绕组部分的两端连续地被设置在上 述第一绕组部分的外侧,

按照相对于上述线圈架的轴方向的中心对称的卷绕形状,卷绕上 述第一绕组部分和上述第二绕组部分的绕组。

8.根据权利要求7所述的倾斜磁场线圈,其特征在于:

在将上述倾斜磁场线圈用于构成能动屏蔽型倾斜磁场线圈的主线 圈和屏蔽线圈的双方的情况下,

对于上述第二绕组部分的上述线圈架的轴方向的长度,上述屏蔽 线圈比上述主线圈长。

9.根据权利要求7所述的倾斜磁场线圈,其特征在于:

在将上述倾斜磁场线圈用于构成能动屏蔽型倾斜磁场线圈的主线 圈和屏蔽线圈的双方的情况下,

对于上述第二绕组部分的各绕组的间距,上述屏蔽线圈比上述主 线圈宽。

10.根据权利要求7所述的倾斜磁场线圈,其特征在于:

在将上述倾斜磁场线圈用于构成能动屏蔽型倾斜磁场线圈的主线 圈和屏蔽线圈的双方的情况下,

上述屏蔽线圈的上述第一绕组部分的各绕组的匝数与上述主线圈 的上述第一绕组部分的各绕组的匝数相互对应地是相同数目,

上述屏蔽线圈的上述第一绕组部分的各绕组的位置与对应的上述 主线圈的上述第一绕组部分的各绕组的位置相比,相对于上述线圈架 的中心被设置在外侧。

11.根据权利要求7所述的倾斜磁场线圈,其特征在于:

上述第一绕组部分的上述线圈架的轴方向的长度是上述导体以多 匝卷绕在上述线圈架上而形成的绕组部分的上述线圈架的轴方向的长 度的大致40%的长度。

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