[发明专利]布线电路基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及布线电路基板的制造方法，更详细涉及COF基板等布线电路基板的制造方法。

背景技术

以往，在形成COF基板等布线电路基板的导体图案时使用加成法。例如，提出一种在不锈钢制成的金属支持层上的由聚酰亚胺制成的基底绝缘层上，使用加成法由铜形成导体图案的方案(例如参照日本专利特开2006—332549号公报)。

即，在上述的日本专利特开2006—332549号公报中，提出了在基底绝缘层的上表面形成导体薄膜，接着通过负性干膜抗蚀剂覆盖导体薄膜之后，从上方通过光掩模曝光，然后通过显影以与布线电路图案相反的图案形成镀敷抗蚀膜。接下来，在从镀敷抗蚀膜露出的导体薄膜的表面，通过电解镀铜使铜析出，形成导体图案。

发明内容

然而，在加成法中，需要利用镀敷抗蚀膜覆盖金属支持层的侧端面，使铜不析出。即，由于金属支持层的不锈钢与铜的紧贴力较低，若在金属支持层的侧端面有铜析出，则会产生铜容易从金属支持层剥落、成为异物这样的问题，因此，需要利用镀敷抗蚀膜覆盖金属支持层的侧端面。

另一方面，由于干膜抗蚀剂通常是通过热压接层叠的，因此在基底绝缘层的上表面的端部的端缘按压力较为集中，这样其厚度变薄，并且有时干膜抗蚀剂会在基底绝缘层的侧端面滑落。而且，在干膜抗蚀剂滑落时，在干膜抗蚀剂的基底绝缘层的上表面的端部的端缘会形成干膜抗蚀剂欠缺的狭窄的欠缺部分(空隙)，若使用由该干膜抗蚀剂形成的镀敷抗蚀膜来进行电解镀铜，则铜会从光致抗蚀剂的欠缺部分析出。因此，由于该铜的宽度形成得比较狭窄，与基底绝缘层的紧贴力较低，会产生从基底绝缘层剥落、成为异物这样的问题。因此，期望通过在基底绝缘层的上表面的端部有意地设置较宽的铜层，防止上述宽度狭窄的铜的析出，提高铜层与绝缘层的紧贴性。

因此，为防止上述异物的产生，需要利用镀敷抗蚀膜覆盖金属支持层的侧端面，并使基底绝缘层的上表面的端部从镀敷抗蚀膜露出，以形成较宽的铜层。这种情况下，为了在金属支持层的侧端面由负性干膜抗蚀剂形成镀敷抗蚀膜，需要设置与该部分对应的干膜抗蚀剂为曝光部分的掩模图案；另一方面，为了在基底绝缘层的上表面的端部形成较宽的铜层，需要设置与该部分对应的干膜抗蚀剂为未曝光部分的掩模图案。但是，难以正确配置光掩模，使金属支持层的侧端面为曝光部分，并使基底绝缘层的上表面的端部为未曝光部分。

本发明的目的是提供一种布线电路基板的制造方法，该方法可以简便地防止绝缘层的上表面的端部的导体异物的产生，并防止金属支持层的侧端面的导体异物的产生。

本发明的布线电路基板的制造方法的特征是，包括：准备在金属支持层上层叠了绝缘层的2层基材的工序；利用光致抗蚀剂覆盖上述绝缘层的上表面、上述绝缘层及上述金属支持层的侧端面的覆盖工序；配置光掩模使其将在上述绝缘层的上表面的形成端部及导体层的部分遮光，将覆盖上述绝缘层的上表面的上述光致抗蚀剂从上方通过上述光掩模曝光的工序；将覆盖上述绝缘层及上述金属支持层的侧端面的上述光致抗蚀剂从下方曝光的工序；去除上述光致抗蚀剂的未曝光部分，将曝光部分形成为图案，形成镀敷抗蚀膜的工序；在从上述镀敷抗蚀膜露出的上述绝缘层上，在上述绝缘层的上表面的端部形成端部导体层，同时在上述绝缘层的上表面形成上述导体层的工序；以及去除上述镀敷抗蚀膜的工序。

在本方法中，利用光致抗蚀剂覆盖绝缘层的上表面，然后，将光掩模配置为使其将在绝缘层的上表面的形成端部及导体层的部分遮光，将覆盖绝缘层的上表面的光致抗蚀剂从上方通过光掩模曝光。这样，在绝缘层的上表面的形成端部及导体层的部分形成光致抗蚀剂的未曝光部分。然后，若在去除其光致抗蚀剂的未曝光部分之后形成镀敷抗蚀膜，则可以在从镀敷抗蚀膜露出的绝缘层的上表面的端部形成端部导体层，同时在从镀敷抗蚀膜露出的绝缘层的上表面的部分形成导体层。因此，可以形成导体层，并在绝缘层的端部形成端部导体层，防止宽度狭窄的导体材料的析出，可以使端部导体层与绝缘层的紧贴性提高。其结果是，防止在绝缘层的上表面的端部的导体异物的产生，可以得到连接可靠性较高的布线电路基板。

另一方面，在本方法中，由于利用光致抗蚀剂覆盖绝缘层及金属支持层的侧端面，将该光致抗蚀剂从下方曝光，可以简便地将覆盖绝缘层及金属支持层的侧端面的光致抗蚀剂曝光。因此，可以由该曝光部分形成镀敷抗蚀膜，使其覆盖绝缘层及金属支持层的侧端面。因此，可以简便地防止导体材料在金属支持层的侧端面析出，其结果是，可以简便地防止在金属支持层的侧端面的导体异物的产生。