[发明专利]控制基材厚度的方法和处理基材的装置

权利要求书

1.一种控制基材厚度的方法，包括：

自至少一个散布器散布至少一个蚀刻剂至一旋转基材的一表面上的多个不同的位置以实施蚀刻；

监控于所述多个位置上的该旋转基材的一厚度，使得当散布该蚀刻剂于各别的位置时，该旋转基材的厚度被监控；以及

基于位于所述各别的位置上的该相对监控厚度，控制实施蚀刻的一相对量，

其中该散布步骤包括以一第一段时间长度散布该蚀刻剂于一第一位置的该表面上，其所在的基材具有一第一厚度，以及以一第二段时间长度散布该蚀刻剂于一第二位置的该表面上，其所在的基材具有一第二厚度，其中该第一段时间长度大于该第二段时间长度，并且该第一厚度大于该第二厚度。

2.如权利要求1所述的控制基材厚度的方法，其中该监控步骤包括于所述多个不同的位置之间移动一单一传感器。

3.如权利要求1所述的控制基材厚度的方法，其中该监控步骤包括通过在各个位置上使用一相对地不同的传感器，依序地监控在所述多个位置相对之一上的该基材的厚度。

4.如权利要求1所述的控制基材厚度的方法，其中该散布步骤包括于所述多个不同的位置之间移动一单一散布器。

5.如权利要求1所述的控制基材厚度的方法，其中该基材为一第一半导体晶片，该方法还包括：

于该分散步骤之前，键结该第一半导体晶片至一第二半导体晶片。

6.如权利要求5所述的控制基材厚度的方法，其中：

该第一半导体晶片和第二半导体晶片分别包括一正面和至少一个位于该正面上的接触，该第一半导体晶片的该表面为一背面，其背对该第一半导体晶片的该正面；

该第一半导体晶片包括一导孔，该导孔导电连接至该第一半导体晶片的该接触；

该键结步骤包括连接该第一半导体晶片和该第二半导体晶片的该接触；以及

该散布步骤包括蚀刻该第一半导体晶片的该背面，至少到该导孔由该背面显露出为止。

7.一种控制一具有一正面与一背面的半导体基材的厚度的方法，包括：

于一旋转基台上，旋转一半导体基材；

当自该散布器散布一蚀刻剂至该旋转基材的该背表面上的多个不同的位置时，移动一散布器；

监控位于所述多个位置上的该旋转基材的一厚度，使得当散布该蚀刻剂于各别的位置时，该旋转基材的厚度被监控；以及

动态控制一时间的相对量，当蚀刻液被散布在各别的位置上，基于位于该位置上的该相对监控厚度，使得于该基材整个范围，该厚度的一标准差维持在或低于一预定的数值。

8.如权利要求7所述的控制基材厚度的方法，其中：

该移动步骤包括通过旋转一其上具有一散布器的臂，活动该步进马达；以及

该监控步骤包括使用一激光测量装置测量一距离，其代表该基材的厚度。

9.如权利要求7所述的控制基材厚度的方法，其中该方法还包括：

于该分散步骤之前，键结该第一半导体晶片至一第二半导体晶片。

10.一种处理基材的装置，包括：

一移动式散布器，以散布一蚀刻剂至一旋转基材的一表面上的多个不同的位置；

至少一个传感器，以监控该旋转基材的一厚度，使得当散布该蚀刻剂于各别的位置时，该旋转基材的厚度被监控；

一控制器，基于位于该位置上的该相对监控厚度，以控制被散布的蚀刻液的相对量在各别的位置上，其中包括以一第一段时间长度散布该蚀刻剂于一第一位置的该表面上，其所在的基材具有一第一厚度，以及以一第二段时间长度散布该蚀刻剂于一第二位置的该表面上，其所在的基材具有一第二厚度，其中该第一段时间长度大于该第二段时间长度，并且该第一厚度大于该第二厚度。

11.如权利要求10所述的处理基材的装置，其中所述至少一个传感器包括一单一传感器，其沿着所述多个不同的位置移动。

12.如权利要求10所述的处理基材的装置，其中所述至少一个传感器包括多个传感器，各对应的传感器被设置以监控位于对应所述多个不同的位置之一处的该基材的厚度。

13.如权利要求10所述的处理基材的装置，其中所述至少一个传感器为一扫描式激光测量仪或红外线测量仪。