[发明专利]形成包括薄层的光伏电池的方法

权利要求书

1.一种制造光伏电池的方法，所述方法包括：

将第一连续单层半导体施主的第一表面附装到接收体；

在所述附装步骤之后，从所述第一施主解理第一半导体材料层，其中所述第一半导体材料层包括所述第一表面，并保持为附装到所述接收体；以及

制造所述光伏电池，其中所述第一半导体材料层包括所述光伏电池的基极或发射极或两者的至少一部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述连续单层半导体施主不包含尺寸大于200埃的空洞。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括，在所述附装步骤之前，将一种或多种气体离子注入到所述第一施主内，其中此注入步骤界定了用于所述解理步骤的解理平面。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述解理步骤产生了所述层的与所述第一表面平行的第二表面，所述方法包括，在所述解理步骤之后，处理所述层的所述第二表面以改变其表面粗糙度。

5.根据权利要求3所述的方法，其中所述解理步骤产生了所述层的与所述第一表面平行的第二表面，所述方法包括，在所述解理步骤之后，将所述第二表面涂覆有具有与所述半导体材料的折射率不同折射率的基本透明材料。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一半导体材料层在约1与约80微米之间厚。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述施主是硅晶片。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述施主是浮动区域硅晶片。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述施主是多晶体晶片。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述施主是锗晶片。

11.一种制造光伏电池的方法，所述方法包括：

掺杂半导体晶片的第一表面的至少部分；

通过所述第一表面注入氢离子；

将所述第一表面附装到接收体；以及

在所述附装步骤之后，从所述半导体晶片解理第一半导体层，其中所述第一层包括所述第一表面，其中所述第一表面接合到所述接收体，

其中当所述第一层暴露于光时在其内产生电流。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一层在约1与约20微米之间厚。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一层具有与所述第一表面平行的第二表面，其中所述第一表面或所述第二表面具有在约600与约50000埃之间的峰谷表面粗糙度。

14.根据权利要求11所述的方法，还包括，在所述解理步骤之后，从所述半导体晶片解理第二层，所述第二层具有在约1微米与约20微米之间的厚度。

15.根据权利要求11所述的方法，还包括通过所述第一表面注入氦离子。

16.根据权利要求11所述的方法，还包括，在所述附装步骤之前，在所述第一表面或在所述接收体上形成金属层。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述金属层包括钛、铝、铬、钼、钽、锆、钒或钨。

18.一种形成光伏电池的方法，所述方法包括：

在硅晶片的第一表面上沉积第一材料的第一层；

通过所述第一表面注入一种或多种气体离子，以界定解理平面；

将晶片在所述第一表面处附装到所述晶片；

加热所述晶片以沿着解理平面从所述晶片剥离层，

其中所述层包括所述第一表面，并且所述层保持为附装到所述接收体；

对所述层的所述第一表面或所述第二表面纹理化。

19.根据权利要求18所述的方法，其中所述第一材料是金属。

20.根据权利要求18所述的方法，其中所述第一材料是非晶体硅。

21.根据权利要求18所述的方法，其中所述第一材料是抗反射层。

22.根据权利要求18所述的方法，其中所述第一材料是透明导电金属。

23.根据权利要求18所述的方法，还包括，通过扩散掺杂将所述第一表面掺杂为第一导电类型。