[发明专利]集成电路结构的制造方法有效
| 申请号： | 200910000401.6 | 申请日： | 2009-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN101635270A | 公开（公告）日： | 2010-01-27 |
| 发明（设计）人： | 陈能国;曾国华;蔡正原 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/31;H01L21/316;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 红 |
| 地址： | 台湾省新竹市新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 结构 制造 方法 | ||
1.一种集成电路结构的制造方法，其特征在于，至少包括：
提供一半导体基材，其中该半导体基材至少包括一上表面；
形成一开口从该上表面延伸至该半导体基材中；
利用一旋转涂布方式填充一前驱物至该开口中；
对该前驱物进行一蒸汽固化，以形成一介电材料；
在该蒸汽固化后，对该介电材料进行一化学机械研磨；以及
在该化学机械研磨之后，对该介电材料进行一蒸汽退火，其中进行该蒸汽固化与该蒸汽退火时是利用氢气与氧气，该蒸汽固化具有一第一氢与氧组合分压，该蒸汽退火具有一第二氢与氧组合分压，其中该第一氢与氧组合分压大于该第二氢与氧组合分压。
2.根据权利要求1所述的集成电路结构的制造方法，其特征在于，该蒸汽固化是在一第一温度中进行，且该蒸汽退火是在低于该第一温度的一第二温度中进行。
3.根据权利要求2所述的集成电路结构的制造方法，其特征在于，该第一温度高于1000℃，且该第二温度低于700℃。
4.根据权利要求2所述的集成电路结构的制造方法，其特征在于，该第一温度高于1000℃，且该第二温度低于600℃。
5.根据权利要求1所述的集成电路结构的制造方法，其特征在于，在该蒸汽固化后与该化学机械研磨前，位于该开口中的该介电材料的一第一部分具有一第一湿蚀刻率比值大于位于该开口上方的该介电材料的第二部分的一第二湿蚀刻率比值。
6.根据权利要求5所述的集成电路结构的制造方法，其特征在于，在该蒸汽固化后与该化学机械研磨前，该第一湿蚀刻率比值大于2。
7.根据权利要求5所述的集成电路结构的制造方法，其特征在于，在该蒸汽退火后，该介电材料的该第一部分具有一湿蚀刻率比值低于2。
8.根据权利要求1所述的集成电路结构的制造方法，其特征在于，该前驱物至少包括全氢聚硅氮烷。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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