[发明专利]在导热和导电掩模上具有ELOG的半导体结构

权利要求书

1. 一种半导体结构，包括：

衬底；

处于所述衬底上的导热和导电掩模；以及

处于所述导热和导电掩模上的外延横向过生长（ELOG）材料。

2. 根据权利要求1所述的结构，其中，所述导热和导电掩模包括选自包含碳纳米结构和石墨烯的组的材料。

3. 根据权利要求1所述的结构，其中，所述导热和导电掩模包括多个凹陷。

4. 根据权利要求1所述的结构，其中，所述导热和导电掩模包括至少一个沟槽，其中，所述ELOG材料包括从所述至少一个沟槽延伸的竖直延伸部。

5. 根据权利要求4所述的结构，其中，所述导热和导电掩模包括高密度导热和导电掩模以及低密度导热和导电掩模，其中，所述至少一个沟槽被形成在所述高密度导热和导电掩模中，并且所述低密度导热和导电掩模如果处于所述至少一个沟槽中并且包含多个空间，则ELOG材料的所述竖直延伸部从所述多个空间延伸。

6. 一种装置，包括：

衬底；

处于所述衬底上的导热和导电掩模； 

处于所述导热和导电掩模上的外延横向过生长（ELOG）材料；以及

处于所述ELOG材料上的器件。

7. 根据权利要求6所述的装置，其中，所述导热和导电掩模包括选自包含密集碳纳米结构和石墨烯的组的材料。

8. 根据权利要求6所述的装置，其中，所述导热和导电掩模包括多个凹陷。

9. 根据权利要求8所述的装置，其中，所述ELOG材料具有表面，并且其中所述多个凹陷在至少一个区域中被充分地隔开，以将所述器件的至少一部分置于ELOG材料的所述表面上。

10. 根据权利要求6所述的装置，其中，所述导热和导电掩模包括至少一个沟槽，其中，所述ELOG材料包括从所述至少一个沟槽延伸的竖直延伸部。

11. 根据权利要求10所述的装置，其中，所述导热和导电掩模包括高密度导热和导电掩模以及低密度导热和导电掩模，其中，至少一个沟槽被形成在所述高密度导热和导电掩模中，并且所述低密度导热和导电掩模如果处于所述至少一个沟槽中并且包含多个空间，则ELOG材料的所述竖直延伸部从所述多个空间延伸。

12. 根据权利要求6所述的装置，其中，所述器件包括半导体激光器、晶体管、光检测器、光学放大器、光学波导、以及光学调制器的至少一个的组件。

13. 一种半导体结构，包括：

衬底；

处于所述衬底上的导热和导电掩模，其中，所述导热和导电掩模包括选自包含密集碳纳米结构和石墨烯的组的材料，其中所述导热和导电掩模包括至少一个沟槽；以及

处于所述导热和导电掩模上的外延横向过生长（ELOG）材料，并且其中，所述ELOG材料包括从所述至少一个沟槽延伸的竖直延伸部。

14. 根据权利要求13所述的结构，进一步包括：

处于所述至少一个沟槽中的低密度导热和导电材料，所述低密度导热和导电材料包括空间，并且其中，ELOG材料从所述空间延伸。

15. 根据权利要求13所述的结构，进一步包括处于ELOG材料的一部分上的器件，其中所述器件是电子器件的组件。