[发明专利]晶圆测试装置以及具有该装置的处理设备无效
| 申请号: | 200880128526.0 | 申请日: | 2008-05-19 |
| 公开(公告)号: | CN101990706A | 公开(公告)日: | 2011-03-23 |
| 发明(设计)人: | 李淳钟;禹奉周 | 申请(专利权)人: | 塞米西斯科株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星;罗延红 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 测试 装置 以及 具有 处理 设备 | ||
1.一种晶圆测试装置,包括:
晶圆转移部,其沿转移路径转移晶圆;
检查器,位于待转移晶圆的边缘附近,其检查所述晶圆的所述边缘中是否存在裂纹或颗粒,并区分裂纹与颗粒。
2.根据权利要求1所述的晶圆测试装置,其中所述检查器包括第一检查器及第二检查器,
所述第一检查器包括:第一激光发生器,位于所述晶圆的边缘下方,用于发射激光;第一检查模块,位于所述晶圆的边缘上方,用于确定所述晶圆的所述边缘是否存在裂纹或颗粒,并通过检测经过所述晶圆的边缘、由入射的相对侧出射的激光的量来区分裂纹与颗粒;摄像模块,用于拍摄所述晶圆的外表面,
所述第二检查器包括:第二激光发生器,位于待转移晶圆侧部,用于沿所述晶圆的长度方向发射激光;可竖直移动圆柱体,连接至第二激光发生器,用于将激光的照射位置竖直移动至某一位置;第二检查模块,位于所述晶圆上方,用于检测所述晶圆所散射出的激光。
3.根据权利要求2所述的晶圆测试装置,其中所述检查器包括转移单元,
所述转移单元电连接至第一检查模块及第二检查模块,当所述晶圆中存在裂纹或第二检查模块检测到激光时,所述转移单元沿另一转移路径取出所述晶圆。
4.根据权利要求2所述的晶圆测试装置,其中所述第一检查模块是集成体,所述集成体包括:主体,所述主体包括光入射部、与所述光入射部相对的光出射部以及位于所述光入射部与所述光出射部之间的漫射光出射部,所述漫射光出射部允许入射至所述光入射部的光被漫射并出射,所述主体形成预定内部空间;第一光学检测器,设置在所述漫射光出射部中并检测漫射光的量;第二光学检测器,设置在所述光出射部中并检测入射至所述光入射部并经由所述光出射部出射的光量;监视模块,电连接至所述第一光学检测器和第二光学检测器,用于判定是否存在裂纹或颗粒,并基于所检测到的光量区分裂纹与颗粒,
所述摄像模块包括:光源,位于所述晶圆一侧并照射所述晶圆;相机,位于所述晶圆另一侧并拍摄所述晶圆的外表面。
5.根据权利要求2所述的晶圆测试装置,其中第一检查模块为包括透镜和光电二极管的光学系统,所述透镜位于所述晶圆附近并会聚激光,所述光电二极管位于所述透镜附近并检测激光的量。
6.根据权利要求4所述的晶圆测试装置,其中所述主体为圆柱形。
7.根据权利要求2所述的晶圆测试装置,其中所述第二检查模块位于所述晶圆上方,且包括多个光电二极管。
8.根据权利要求2所述的晶圆测试装置,其中所述第二检查模块是集成体,所述集成体包括:
主体,所述主体包括光入射部、与所述光入射部相对的光出射部、以及位于所述光入射部与所述光出射部之间的漫射光出射部,所述漫射光出射部允许入射至所述光入射部的被漫射并出射,所述主体形成预定内部空间;
第一光学检测器,设置在漫射光出射部中并检测漫射光的量;
第二光学检测器,设置在所述光出射部中,用于检测入射至所述光入射部并经由所述光出射部出射的光的量;
监视模块,电连接至所述第一光学检测器和第二光学检测器,用于确定是否存在裂纹与颗粒,并基于所检测到的光量区分裂纹与颗粒。
9.根据权利要求4所述的晶圆测试装置,其中所述内部空间包括第一空间和第二空间,第一空间具有预定长度且平行地形成,第二空间位于第一空间相对两侧,第二空间具有半球形状并且与第一空间相连通,
第一空间及第二空间与所述光入射部及所述光出射部相连通。
10.根据权利要求4所述的晶圆测试装置,其中所述光入射部与所述光出射部各包括长度相同的孔,所述孔是以线性方式沿所述主体的所述长度方向形成,
所述漫射光出射部包括多个以非线性方式沿所述主体的所述长度方向形成的通孔。
11.根据权利要求4所述的晶圆测试装置,其中所述主体包括可拆卸体,用以配合至所述内部空间,
所述可拆卸体包括:第三空间,具有预定长度且平行形成;第四空间,位于所述第三空间相对两侧且具有半球形状,所述第四空间与所述第三空间相连通;辅助光入射部和辅助光出射部,第三空间及第四空间经由所述辅助光入射部及所述辅助光出射部而与所述光入射部和所述光出射部相连通。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





