[发明专利]发光器件

说明书

技术领域

本发明涉及使用半导体激光器作为光源的发光器件。

背景技术

现今，存在均具有发光二极管作为半导体发光元件的发光器件，每一个发光器件被设计为在器件内均匀地发光。通过已知的技术，例如，在发光二极管附近设置反射镜，以调整光传播方向和光密度的空间分布。通过另一种已知的技术，使光漫射剂(light diffusion agent)以及荧光物质被包含在导引来自发光二极管的光的密封剂中，并利用漫反射。通过又一已知的技术，通过改变导光体的入射面和出射面的形状来调整光密度的空间分布(例如，参见日本专利No.3,991,961和JP-A 2006-32370(特开))。此外，还存在这样的已知技术，通过该技术，使用具有高折射率的密封剂来有效地再提取来自荧光物质的光并将该光导引向出射面侧(例如，参见JP-A 2007-27751(特开))。

然而，这些技术中的任何一种都基于光反射和透射的原理。通过这些技术中的任何一种技术，对于来自发光器件的光发射，没有使用特定比率的透射光和特定比率的反射光。因此，透射光和反射光造成了损失，由此不能获得高发光效率。

发明内容

鉴于上述情况提出了本发明，并且本发明的目的为提供一种具有最高可能的发光效率的发光器件。

根据本发明的第一方面的发光器件包括：半导体激光元件，其具有用于出射激光的第一出射面；支撑基底，其具有在表面上的凹部，并以将所述半导体激光元件的所述出射面暴露到所述凹部的底面的方式支撑所述半导体激光元件；导光体，其被掩埋在所述支撑基底的所述凹部中，导引从所述半导体激光元件出射的所述激光，并具有入射面和第二出射面，所述激光进入所述入射面，行进通过所述导光体的所述激光从所述第二出射面出射，所述导光体的所述入射面为这样的曲面，该曲面使得在由所述激光的行进方向和所述激光的发光斑的短轴形成的面中所述激光的入射角在包括布儒斯特角的预定范围内；以及荧光物质，其被散布在所述导光体中，吸收所述激光，并出射具有与所述激光的波长不同的波长的光。

根据本发明的第二方面的发光器件包括：第一和第二半导体激光元件，其分别具有用于出射激光的第一和第二出射面；支撑基底，其具有在表面上的凹部，并以将所述第一和第二出射面暴露到所述凹部的底面的方式支撑所述第一和第二半导体激光元件；导光体，其被掩埋在所述支撑基底的所述凹部中，导引从所述第一和第二半导体激光元件中的每一个出射的所述激光，并具有入射面和第三出射面，从所述第一和第二半导体激光元件中的每一个出射的所述激光进入所述入射面，行进通过所述导光体的所述激光从所述第三出射面出射，所述导光体的所述入射面为这样的曲面，该曲面使得在由所述激光的行进方向和所述激光的发光斑的短轴形成的面中所述激光的入射角在包括布儒斯特角的预定范围内；以及荧光物质，其被散布在所述导光体中，吸收所述激光，并出射具有与所述激光的波长不同的波长的光。

根据本发明的第三方面的发光器件包括：半导体激光元件，其具有用于出射激光的第一和第二出射面，所述第一和第二出射面彼此面对；支撑基底，其具有在彼此面对的第一和第二表面上的第一和第二凹部，并以将所述半导体激光元件的所述第一出射面暴露到所述第一凹部的底面且将所述半导体激光元件的所述第二出射面暴露到所述第二凹部的底面的方式支撑所述半导体激光元件；第一导光体，其被掩埋在所述支撑基底的所述第一凹部中，导引从所述半导体激光元件的所述第一出射面出射的第一激光，并具有第一入射面和第三出射面，所述第一激光进入所述第一入射面，行进通过所述第一导光体的所述第一激光从所述第三出射面出射，所述第一导光体的所述第一入射面为这样的曲面，该曲面使得在由所述第一激光的行进方向和所述第一激光的发光斑的短轴形成的面中所述第一激光的入射角在包括布儒斯特角的第一预定范围内；第二导光体，其被掩埋在所述支撑基底的所述第二凹部中，导引从所述半导体激光元件的所述第二出射面出射的第二激光，并具有第二入射面和第四出射面，所述第二激光进入所述第二入射面，行进通过所述第二导光体的所述第二激光从所述第四出射面出射，所述第二导光体的所述第二入射面为这样的曲面，该曲面使得在由所述第二激光的行进方向和所述第二激光的发光斑的短轴形成的面中所述第二激光的入射角在包括布儒斯特角的第二预定范围内；第一荧光物质，其被散布在所述第一导光体中，吸收所述第一激光，并出射具有与所述第一激光的波长不同的波长的第一光；以及第二荧光物质，其被散布在所述第二导光体中，吸收所述第二激光，并出射具有与所述第二激光的波长不同的波长的第二光。

附图说明