[发明专利]低噪声和低输入电容的差动修正型导数叠加低噪声放大器有效
| 申请号: | 200880121042.3 | 申请日: | 2008-12-16 |
| 公开(公告)号: | CN101904091A | 公开(公告)日: | 2010-12-01 |
| 发明(设计)人: | 乔斯·卡瓦尼利亚斯;普拉萨德·S·古德曼;金那苏;克里斯蒂安·马尔库;阿努普·萨芙拉 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
| 主分类号: | H03F1/32 | 分类号: | H03F1/32 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘国伟 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 噪声 输入 电容 差动 修正 导数 叠加 低噪声放大器 | ||
1.一种放大器,其具有第一差动输入节点和第二差动输入节点,所述放大器包含:
第一晶体管,其被偏置于饱和区域中,其中所述第一晶体管的栅极耦合到所述第一差动输入节点;
第二晶体管,其被偏置于所述饱和区域中,其中所述第二晶体管的栅极耦合到所述第二差动输入节点;
第三晶体管,其被偏置于亚阈值区域中,所述第三晶体管具有电容性耦合到所述第二晶体管的漏极的栅极,其中所述第三晶体管的漏极上的第一消除信号消除由所述第一晶体管产生的第一失真信号的至少一部分;以及
第四晶体管,其被偏置于所述亚阈值区域中,所述第四晶体管具有电容性耦合到所述第一晶体管的漏极的栅极,其中所述第四晶体管的漏极上的第二消除信号消除由所述第二晶体管产生的第二失真信号的至少一部分。
2.根据权利要求1所述的放大器,其进一步包含:
第一级联电路,其将所述第一晶体管的所述漏极耦合到第一差动输出节点且其将所述第三晶体管的漏极耦合到所述第一差动输出节点;以及
第二级联电路,其将所述第二晶体管的所述漏极耦合到第二差动输出节点且其将所述第四晶体管的漏极耦合到所述第二差动输出节点。
3.根据权利要求1所述的放大器,其中所述第一晶体管的所述漏极直接连接到所述第三晶体管的所述漏极,且其中所述第二晶体管的所述漏极直接连接到所述第四晶体管的所述漏极。
4.根据权利要求2所述的放大器,其进一步包含:
第一电感器,其具有第一引线和第二引线,所述第一引线耦合到所述第一晶体管的源极,所述第二引线耦合到共同节点;以及
第二电感器,其具有第一引线和第二引线,所述第一引线耦合到所述第二晶体管的源极,所述第二引线耦合到所述共同节点。
5.根据权利要求4所述的放大器,其中所述第三晶体管的源极耦合到所述共同节点,且其中所述第四晶体管的源极耦合到所述共同节点。
6.根据权利要求4所述的放大器,其中所述第一级联电路包含:
第五晶体管,其具有源极和漏极,所述第五晶体管的所述源极耦合到所述第一晶体管的所述漏极,所述第五晶体管的所述漏极耦合到所述第一差动输出节点;以及
第六晶体管,其具有源极和漏极,所述第六晶体管的所述源极耦合到所述第三晶体管的所述漏极,所述第六晶体管的所述漏极耦合到所述第一差动输出节点。
7.根据权利要求6所述的放大器,其中所述第一晶体管的栅极被偏置于第一偏电压处,且其中所述第三晶体管的栅极被偏置于第二偏电压处。
8.根据权利要求7所述的放大器,其中所述第一晶体管大体上大于所述第三晶体管,且其中所述第二晶体管大体上大于所述第四晶体管。
9.一种放大器,其具有第一差动输入节点、第二差动输入节点、第一差动输出节点和第二差动输出节点,所述放大器包含:
第一晶体管,其被偏置于饱和区域中,其中所述第一晶体管的栅极耦合到所述第一差动输入节点;
第二晶体管,其被偏置于所述饱和区域中,其中所述第二晶体管的栅极耦合到所述第二差动输入节点;
第三晶体管,其被偏置于亚阈值区域中,其中所述第三晶体管的漏极上的第一消除信号消除由所述第一晶体管产生的第一失真信号的至少一部分;
第四晶体管,其被偏置于所述亚阈值区域中,其中所述第四晶体管的漏极上的第二消除信号消除由所述第二晶体管产生的第二失真信号的至少一部分;
第五晶体管,其具有源极和漏极,其中所述第五晶体管的所述源极耦合到所述第一晶体管的漏极,且其中所述第五晶体管的所述漏极耦合到所述第一差动输出节点且还电容性耦合到所述第四晶体管的栅极;以及
第六晶体管,其具有源极和漏极,其中所述第六晶体管的所述源极耦合到所述第二晶体管的漏极,且其中所述第六晶体管的所述漏极耦合到所述第二差动输出节点且还电容性耦合到所述第三晶体管的栅极。
10.根据权利要求9所述的放大器,其进一步包含:
第一电感器,其具有第一引线和第二引线,所述第一引线耦合到所述第一晶体管的源极,所述第二引线耦合到接地节点;以及
第二电感器,其具有第一引线和第二引线,所述第一引线耦合到所述第二晶体管的源极,所述第二引线耦合到所述接地节点。
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