[发明专利]形成衬底元件的方法

权利要求书

1.一种形成一个或更多衬底元件的方法，包括：

(a)提供设置在支撑层上的衬底层；

(b)将一个或更多掩模区设置在所述衬底层上，以覆盖所述衬底层的至少一部分；

(c)去除一个或更多未覆盖的衬底层部分；

(d)去除所述衬底层下面的至少一部分支撑层，从而形成一个或更多悬置衬底元件，其中所述悬置衬底元件保持附着到所述衬底层，并且可以在去除之前处理所述悬置衬底元件；以及

(e)去除所述衬底元件。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述提供包括：提供包括半导体的衬底层以及包括半导体氧化物或半导体合金的支撑层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述提供包括：提供包括Si的衬底层和包括SiO₂或SiGe的支撑层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(b)中的设置包括设置光刻掩模。

5.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(c)中的去除包括刻蚀。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述刻蚀包括各向异性刻蚀。

7.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(d)中的去除包括刻蚀。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述刻蚀包括各向同性刻蚀。

9.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(e)中的去除包括：

i、将一个或更多掩模区设置在所述悬置衬底元件上；

ii、去除所述悬置衬底元件和/或衬底层的至少一部分，从而将所述悬置衬底元件从所述衬底层分离；以及

iii、去除所述掩模区。

10.根据权利要求9所述的方法，其中步骤i中的设置包括设置光刻掩模。

11.根据权利要求10所述的方法，其中步骤ii中的去除包括刻蚀。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述刻蚀包括各向异性刻蚀。

13.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(e)中的去除包括声波处理所述悬置衬底元件以便将所述衬底元件从所述衬底层分离。

14.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(e)中的去除包括机械地切割所述悬置衬底元件以便将所述衬底元件从所述衬底层分离。

15.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(d)中的去除形成一个或更多悬置衬底元件，其中所述悬置衬底元件经由一个或更多侧面支撑突出物保持附着到所述衬底层。

16.一种形成一个或更多衬底元件的方法，包括：

(a)提供设置在支撑层上的衬底层；

(b)将一个或更多掩模区设置在所述衬底层上，以覆盖所述衬底层的至少一部分；

(c)去除一个或更多未覆盖的衬底层部分；

(d)去除所述衬底层下面的至少一部分支撑层，从而形成一个或更多悬置衬底元件，其中所述悬置衬底元件保持附着到所述衬底层；

(e)处理所述悬置衬底元件；以及

(f)去除所述衬底元件。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述提供包括：提供包括半导体的衬底层以及包括半导体氧化物或半导体合金的支撑层。

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述提供包括：提供包括Si的半导体层和包括SiO₂或SiGe的支撑层。

19.根据权利要求16所述的方法，其中步骤(b)中的设置包括设置光刻掩模。

20.根据权利要求16所述的方法，其中步骤(c)中的去除包括刻蚀。

21.根据权利要求20所述的方法，其中所述刻蚀包括各向异性刻蚀。

22.根据权利要求16所述的方法，其中步骤(d)中的去除包括刻蚀。

23.根据权利要求22所述的方法，其中所述刻蚀包括各向同性刻蚀。

24.根据权利要求16所述的方法，其中所述处理包括在所述悬置衬底元件上设置绝缘层。

25.根据权利要求24所述的方法，其中设置绝缘层包括在所述悬置衬底元件上生长氧化物层。