[发明专利]具有冷却的背板的PECVD工艺腔室

权利要求书

1.一种用以在玻璃基板上沉积非晶或微晶硅的等离子增强化学气相沉积腔室，其包含：

冷却的背板，其被该腔室所承载；以及

扩散器，其用以提供工艺气体，该扩散器是与该背板保持热传送接触。

2.如权利要求1所述的腔室，其中该冷却的背板在其内设置有流体接收导管，用以将来自流体源的冷却流体循环，并且该流体接收导管与该背板保持热传送接触。

3.如权利要求1所述的腔室，其中该热传送接触是由连接于该背板与该扩散器之间的薄片金属支撑件所提供。

4.如权利要求2所述的腔室，其中该流体接收导管为导热管子，其被设置在该背板的上表面的沟槽内。

5.如权利要求4所述的腔室，其中该沟槽是界定横越该背板上表面的连续且弯曲的路径。

6.如权利要求5所述的腔室，更包含多个定位板，其隔开地被设置在该沟槽上方且被固定到该背板表面。

7.如权利要求6所述的腔室，其中该管子沿着与各定位板彼此接触的区域被平坦化。

8.一种用以在玻璃基板上沉积非晶或微晶硅的等离子增强化学气相沉积腔室，其包含：

背板，其被该腔室所承载；

分离板，其具有流体接收导管用以将来自流体源的冷却流体循环，该分离板被固定到该背板且与该背板保持热传送接触；以及

扩散器，其用以提供工艺气体，该扩散器是与该背板和该分离板保持热传送接触。

9.如权利要求8所述的腔室，更包含可移动的基板支撑件，其具有动态温度控制构件。

10.如权利要求8所述的腔室，其中该流体接收导管为导热管子，其被设置在该分离板的上表面的沟槽内。

11.如权利要求10所述的腔室，其中该沟槽界定横越该分离板上表面的连续且弯曲的路径。

12.如权利要求11所述的腔室，更包含多个定位板，其隔开地被设置在该沟槽上方且被固定到该分离板表面。

13.如权利要求12所述的腔室，其中该管子沿着与各定位板彼此接触的区域被平坦化。

14.如权利要求8所述的腔室，其中该热传送接触由连接于该背板与该扩散器之间的薄片金属支撑件所提供。

15.如权利要求14所述的腔室，其中该薄片金属支撑件是以增加该扩散器与该背板之间有效接触面积的方式被固定到该扩散器与该背板。

16.如权利要求15所述的腔室，其中该薄片金属支撑件的各端是通过焊接被固定到该扩散器与该背板周围处。

17.如权利要求8所述的腔室，更包含热交换器，其耦接至该流体接收导管与该流体源，以在该冷却流体返回该流体源之前降低该冷却流体的温度。

18.一种等离子增强化学气相沉积腔室，其包含：

盖体；

背板，其与该盖体耦接，该背板具有与其保持热传送接触的流体接收导管用以将来自流体源的冷却流体循环；

框架结构，其与该背板和该盖体耦接，该框架结构包含：

多个脚件，其与该盖体耦接且由该盖体延伸；

桥组件，其横跨该背板且与该些脚件耦接，该桥组件具有中心区域；以及

支撑环，其通过至少一第一固定件在该中心区域与该背板耦接，并且该支撑环通过至少一第二固定件与该中心区域耦接；

扩散器，其用以提供工艺气体，该扩散器是与该背板保持热传送接触。

19.如权利要求18所述的腔室，其中该至少一第一固定件更包含：

多个螺栓，其延伸穿过该支撑环与该背板。

20.如权利要求18所述的腔室，更包含可移动的基板支撑件，其具有动态温度控制构件。

21.如权利要求18所述的腔室，其中该热传送接触是由连接于该背板与该扩散器之间的薄片金属支撑件所提供。

22.如权利要求21所述的腔室，其中该薄片金属支撑件的各端是通过焊接被固定到该扩散器与该背板周围处。

23.如权利要求18所述的腔室，其中该流体接收导管为导热管子，其被设置在该背板的上表面的沟槽内。