[发明专利]防反射膜有效
| 申请号: | 200880103739.8 | 申请日: | 2008-08-20 |
| 公开(公告)号: | CN101784916A | 公开(公告)日: | 2010-07-21 |
| 发明(设计)人: | 小堀重人;挂札郁夫 | 申请(专利权)人: | 索尼化学&信息部件株式会社 |
| 主分类号: | G02B1/11 | 分类号: | G02B1/11;B32B7/02;B32B27/00;G02B1/10;G02F1/1335;G09F9/00 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 熊玉兰;孙秀武 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 反射 | ||
1.一种防反射膜,其为依次层压透明基材、折射率高于透明基材的 高折射率层、折射率低于高折射率层的低折射率层而成的防反射膜,其中 低折射率层是含有中空微粒子、改性硅酮化合物、不同于该改性硅酮化合 物的第二树脂成分的聚合性组合物的固化物,
在聚合性组合物中,改性硅酮化合物的含量为10重量%以下,中空 微粒子的含量为40重量%以上70重量%以下,
第二树脂成分含有90重量%以上的多官能(甲基)丙烯酸酯,其中, 多官能(甲基)丙烯酸酯选自多元醇与(甲基)丙烯酸的酯、聚氨酯丙烯 酸酯、聚酯丙烯酸酯,
改性硅酮化合物具有作为重复单元具有2个以上硅氧烷结构的主骨 架和键合在主骨架上的官能团,其中,主骨架质量除以键合于该主骨架的 官能团的mol数的值为1630g/mol以上。
2.根据权利要求1所述的防反射膜,其中中空微粒子为中空二氧化 硅粒子。
3.根据权利要求1或2所述的防反射膜,其中低折射率层为通过电 离放射线的照射所形成的固化物。
4.根据权利要求1所述的防反射膜,其中键合在改性硅酮化合物主 骨架上的官能团选自包含丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基的官能团组。
5.根据权利要求1所述的防反射膜,其中中空微粒子的平均粒径为 10nm以上200nm以下。
6.根据权利要求1所述的防反射膜,其中中空微粒子在表面上具有 通过电离放射线聚合的官能团。
7.根据权利要求1所述的防反射膜,其中低折射率层的膜厚为50nm 以上200nm以下。
8.根据权利要求1所述的防反射膜,其中低折射率层的表面的平均 面粗糙度为1.0nm以上5nm以下。
9.根据权利要求1所述的防反射膜,其中低折射率层是电离放射线 固化型的聚合性组合物在氮气环境中的固化物。
10.根据权利要求1所述的防反射膜,其中高折射率层的铅笔硬度为 2H以上。
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