[发明专利]具有双重功能的多级单元存取缓冲器

权利要求书

1.一种用于写到非易失性存储器的存取缓冲器，该存取缓冲器包括：

用于接收具有被写到该存储器的输入位的单端输入信号的单端输入 端；

用于锁存该输入位的第一锁存器，该第一锁存器具有用于接收包括该 输入位的双端输入信号的双端输入端；

用于锁存从该非易失性存储器中的存储器位置的较下页面读取的值 的第二锁存器，其中，所述存储器位置具有较上页面和所述较下页面；和

用于产生该单端输入信号的补码的补码信号产生器，该双端输入信号 包括该单端输入信号和该单端输入信号的补码。

2.根据权利要求1所述的存取缓冲器，其中：

该存取缓冲器具有第一操作模式和第二操作模式，在该第一操作模式 中该补码信号产生器产生该单端输入信号的补码，在该第二操作模式中该 第二锁存器锁存从该较下页面读取的值；

其中当该单端输入端接收该输入位时该存取缓冲器在第一操作模式 中操作并锁存该输入位到该第一锁存器中，并且在多级单元编程期间在第 二操作模式中操作。

3.根据权利要求2所述的存取缓冲器，还包括驱动反相器，该驱动反 相器用于形成该第二锁存器的部分和该补码信号产生器的部分，该第二锁 存器还包括反馈数据保持器，该驱动反相器和该反馈数据保持器连接以形 成该第二锁存器。

4.根据权利要求3所述的存取缓冲器，其中：

该反馈数据保持器包括PMOS晶体管，且

该驱动反相器具有连接到该晶体管的漏极的输入端，该晶体管具有连 接到该驱动反相器的输出端的栅极，其中当该存取缓冲器在该第一操作模 式中操作时，该晶体管将数据保持为高使得避免干扰该驱动反相器。

5.根据权利要求4所述的存取缓冲器，还包括：

用于预充电该驱动反相器的输入端的预充电PMOS晶体管。

6.根据权利要求3至5中任一项所述的存取缓冲器，其中该补码信号 产生器包括：

第一信号传输器，用于当该存取缓冲器处于该第一操作模式中时，将 该单端输入信号传输到该驱动反相器，并且当该存取缓冲器处于该第二操 作模式中时，防止该输入信号传输到该驱动反相器；

第二信号传输器，用于当该存取缓冲器处于该第一操作模式中时，将 该驱动反相器的输出作为该双端输入信号的一端传输到该第一锁存器，并 且当该存取缓冲器处于该第二操作模式中时，防止该驱动反相器的输出作 为该双端输入信号的一端传输到该第一锁存器。

7.根据权利要求6所述的存取缓冲器，还包括：

第三信号传输器，用于当该存取缓冲器处于该第二操作模式时，将该 存储器的输出传输到该第二锁存器的输入端，并且当该存取缓冲器处于该 第一操作模式时，不对该存储器的输出发生作用。

8.根据权利要求7所述的存取缓冲器，其中该第一、第二和第三信号 传输器中的每一个包括各自的NMOS晶体管。

9.根据权利要求8所述的存取缓冲器，其中连接该第三信号传输器的 NMOS晶体管的漏极以接收来自该存储器的输入，并且该第三信号传输器 的NMOS晶体管的栅极连接到该第二锁存器的输入端。

10.根据权利要求8所述的存取缓冲器，其中该非易失性存储器包括 闪速存储器，该闪速存储器具有作为存取缓冲器的页面缓冲器。

11.一种用于使用存取缓冲器写到非易失性存储器的方法，该方法包 括：

接收具有被写到该存储器的输入位的单端输入信号；

使用包括驱动反相器的输入反相器来产生该单端输入信号的补码，该 单端输入信号的补码和该单端输入信号组合形成双端输入信号；

锁存该输入位到具有双端输入端的第一锁存器，该双端输入端用于接 收包括该输入位的双端输入信号；以及

将从该非易失性存储器中的存储器位置的较下页面读取的值锁存到 包括该驱动反相器的第二锁存器，其中，所述存储器位置具有较上页面和 所述较下页面。