[发明专利]具有强化电荷中和的等离子处理以及处理控制

权利要求书

1.一种等离子处理装置，包括：

a.平台，支撑等离子处理的基底；

b.射频电源，在输出端产生多重位准射频功率波形，所述多重位准射频功率波形至少包含具有第一功率位准的第一周期以及具有第二功率位准的第二周期；

c.射频等离子源，具有电性连接至所述射频电源的所述输出端的电性输入端，所述射频等离子源至少在所述第一周期期间产生具有所述第一射频功率位准的第一射频等离子且在所述第二周期期间产生具有所述第二射频功率位准的第二射频等离子；以及

d.偏压电源，具有电性连接至所述平台的输出端，所述偏压电源产生足以吸引所述等离子的离子至所述等离子处理的基底的偏压波形。

2.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其中所述等离子处理装置包括等离子蚀刻装置。

3.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其中所述等离子处理装置包括等离子沉积装置。

4.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其中所述等离子处理装置包括等离子掺杂装置。

5.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其中所述第一射频功率位准与所述第二射频功率位准当中至少一个在所述第一周期与所述第二周期的个别期间是固定的。

6.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其中选择所述第二射频功率位准以便在所述第二周期中所述等离子电子来至少部分地中和在所述第二周期期间累积于所述基底上的电荷，藉以降低所述基底上的充电效应。

7.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其中选择所述射频功率波形与所述偏压波形的相对时序以便至少部分地中和在所述基底上累积的电荷。

8.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其中所述偏压波形与所述多重振幅射频功率波形同步。

9.一种等离子处理装置，包括：

a.平台，支撑等离子处理的基底；

b.射频电源，在输出端产生多重位准射频功率波形，所述多重位准射频功率波形至少包含具有第一功率位准的第一周期以及具有第二功率位准的第二周期；

c.射频等离子源，具有电性连接至所述射频电源的所述输出端的电性输入端，所述射频等离子源在所述第一周期期间产生具有所述第一射频功率位准的第一射频等离子且在所述第二周期期间产生具有所述第二射频功率位准的第二射频等离子；以及

d.偏压电源，具有电性连接至所述平台的输出端，所述偏压电源产生与所述射频功率波形同步的偏压波形，并且至少在所述第一周期期间具有其电位足以吸引所述等离子的离子至所述等离子处理的基底的第一偏压以及在所述第二周期期间具有第二偏压。

10.根据权利要求9所述的等离子处理装置，其中所述第一射频功率位准与所述第二射频功率位准当中至少一个在所述第一周期与所述第二周期的个别期间是固定的。

11.根据权利要求9所述的等离子处理装置，其中选择所述第一射频功率位准与所述第二射频功率位准、所述第一偏压与所述第二偏压、以及所述第一周期与所述第二周期当中至少一个以便达成预定处理率与预定处理分布当中至少一个。

12.根据权利要求9所述的等离子处理装置，其中所述第二偏压的电位有助于中和在所述基底上累积的电荷。

13.根据权利要求9所述的等离子处理装置，其中选择所述第二射频功率位准以便在所述第二周期中所述等离子电子来至少部分地中和在所述第二周期期间累积于所述基底上的电荷，藉以降低所述基底上的充电效应。

14.根据权利要求9所述的等离子处理装置，其中所述第二偏压是接地电位。

15.根据权利要求9所述的等离子处理装置，其中所述偏压波形与所述多重振幅射频功率波形同步。

16.根据权利要求15所述的等离子处理装置，其中所述射频功率波形的脉冲在时间轴对齐所述偏压波形的脉冲。

17.根据权利要求15所述的等离子处理装置，其中所述射频功率波形的脉冲相对于所述偏压波形的脉冲在时间轴位移。

18.根据权利要求9所述的等离子处理装置，其中选择所述射频功率波形与所述偏压波形的相对时序以便至少部分地中和在所述基底上累积的电荷。