[发明专利]电绝缘用双轴取向薄膜有效
| 申请号: | 200880018714.8 | 申请日: | 2008-05-28 |
| 公开(公告)号: | CN101681701A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
| 发明(设计)人: | 吉田哲男 | 申请(专利权)人: | 帝人杜邦薄膜日本有限公司 |
| 主分类号: | H01B17/56 | 分类号: | H01B17/56;B29C55/12;B32B15/09;C08J5/18;C08L67/02;H01G4/18;B29K67/00;B29L7/00 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 吴 娟;李炳爱 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 绝缘 用双轴 取向 薄膜 | ||
技术领域
本发明涉及适合电绝缘用的双轴取向薄膜。更具体地说,涉及具 有由室温至高温范围的高耐电压特性、且长期热处理后仍可保持高耐 电压特性、适合电绝缘用途的双轴取向薄膜。
背景技术
以往,已知含有结晶性热塑性树脂的电绝缘用薄膜例如有:含有 聚丙烯树脂、聚苯乙烯树脂、聚酯树脂、聚苯硫醚树脂的薄膜,其作 为薄膜电容器用薄膜、柔性印刷线路基板用薄膜、马达绝缘用薄膜等 使用。薄膜电容器是将上述结晶性热塑性树脂薄膜与铝箔等金属薄膜 叠合,通过卷曲或层合的方法制备。柔性印刷线路基板是通过在结晶 性热塑性树脂薄膜的至少一面上层合金属薄膜以形成电路等的方法 制备。马达绝缘用薄膜例如是以进行马达的线圈和定子的绝缘的槽楔 件和槽隙件使用。
近年来,伴随着电气或电子部件的小型化的要求,对这些薄膜电 容器或马达等也进一步要求小型化或封装化,除以往的室温范围的耐 电压特性之外,还进一步要求高温范围的耐电压特性。特别是在汽车 用途中,不仅在驾驶室内使用,使用范围也扩大到发动机室,同样要 求高温范围的耐电压特性优异的薄膜电容器。
日本特开2000-173855号公报中公开了使用在特性粘度或结晶度 在特定范围的聚2,6-萘二甲酸乙二醇酯薄膜作为可在汽车发动机室内 使用的耐热性、耐湿性、电气特性优异的电容器用聚酯薄膜。另外, 日本特开2005-289065号公报中提出了相对于薄膜的重量含有 50~15,000ppm的至少一种稳定剂的热塑性树脂薄膜,以此作为介电 特性或室温下的耐电压特性优异的电容器用薄膜,其具体公开了在热 塑性树脂制备中添加稳定剂。同样,日本特开2003-301039号公报中 公开了相对于结晶性聚酯,以100~10,000ppm的浓度存在具有抗氧化 分解能力的至少一种稳定剂。该文献强调,稳定剂以与结晶性聚酯化 学键合的状态存在,由此可以减少表面缺陷的发生,制备时可减少薄 膜制备装置的污染。其还公开:为了使聚酯与稳定剂处于化学键合的 状态,优选在聚酯缩聚反应时混合使用具有羧基和/或酯基的受阻酚。
另一方面,伴随着电气、电子部件的小型化或汽车的电子化,不 仅是室温附近,室温至150℃附近的更广的温度范围内具有比以往更 高的耐电压特性、同时所述部件的使用环境长时间在高温下使用,因 此,目前的现状是人们希望能够开发出可长时间保持上述耐电压特性 的耐绝缘性的薄膜。
发明内容
本发明的目的在于提供在室温至高温范围具有高耐电压特性、且 长期热处理后仍可保持高耐电压特性、适合电绝缘用途的双轴取向薄 膜。
本发明人为解决上述课题进行了深入的研究,结果发现:在薄膜 领域中,与树脂成型品领域等其它技术领域不同,在将各种添加剂添 加到薄膜中时,为了提高在薄膜中的分散性,主要采取在树脂的缩聚 反应的任意时间点添加添加剂的方法,对于受阻酚等自由基捕捉型稳 定剂也提出了在缩聚反应时添加的方案,而本发明通过在制备薄膜时 添加自由基捕捉型稳定剂来替代所述以往的方法,由此,在所得的薄 膜中,聚酯树脂与自由基捕捉型稳定剂不反应,结果自由基捕捉型稳 定剂的自由基捕捉能力提高,且由于催化剂为钛化合物,因此发现其 协同效果,可获得由室温至高温范围比以往更高的耐电压特性,并且 长期热处理后仍可保持其高耐电压特性,从而完成了本发明。
即,本发明的上述目的通过电绝缘用双轴取向聚酯薄膜实现,该 薄膜含有至少一层含聚酯的层,其特征在于:所述至少一层的聚酯含 有作为催化剂的钛化合物和自由基捕捉型稳定剂,相对于聚酯以重量 计,该自由基捕捉型稳定剂的含量为1,000~50,000ppm,其中,与聚 酯化学键合的比例不超过200ppm。
本发明的电绝缘用双轴取向薄膜的优选方案是具备以下的至少 一种:自由基捕捉型稳定剂的含量为16,000~50,000ppm;自由基捕捉 型稳定剂是选自酚系稳定剂、胺系稳定剂的至少一种;自由基捕捉型 稳定剂的熔点为200℃以上;聚酯树脂为聚2,6-萘二甲酸乙二醇酯; 下式(1)所示的绝缘破坏电压差为50~110V/μm,且150℃下的绝缘破 坏电压(BDVt150)为280V/μm以上;
绝缘破坏电压差=BDVt25-BDVt150 ...(1)
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