[发明专利]维护辐射热测量计型检测器矩阵的方法

权利要求书

1.一种用于维护适合于测量源自辐射场景的电磁辐射的辐射热测量计 型检测器阵列(1)的方法，所述方法适合于停止由所述阵列中的至少一个 检测器经历的辐射过度暴露的延续，且在辐射测量序列之外该方法包括执行 以下步骤：

/1/测量所述阵列中的至少一个所识别检测器的电阻性元件的温度和/或 电阻；

/2/对于所述所识别检测器，设置阈值温度和/或阈值电阻分别大于步骤 /1/中所测得的所述温度和/或小于步骤/1/中所测得的所述电阻；

/3/向所述阵列中的至少一个检测器的电阻性元件供应适合于将所述所 识别检测器加热至少到所述阈值温度和/或所述阈值电阻的电流；以及

/4/通过渐进地减小在步骤/3/中用于加热所述所识别检测器的供应到所 述电阻性元件的所述电流，冷却所述所识别检测器，

其中分别依照在步骤/1/中针对所述所识别检测器而测得的所述温度和/ 或电阻与温度和/或电阻参考值之间的偏差而在步骤/2/中设置所述阈值温度 和/或所述阈值电阻。

2.根据权利要求1所述的方法，其包括在步骤/1/与/2/之间被执行的用于 选择所述所识别的检测器的额外步骤，在所述额外步骤之后，仅当步骤/1/ 中针对所述检测器而测得的所述温度和/或电阻满足经界定的选择条件时，针 对所述所识别检测器执行步骤/2/到/4/。

3.根据权利要求2所述的方法，其中界定所述选择条件以使得在所述所 识别检测器具有来自在其操作期间先前的辐射过度暴露或破坏的延续的情 况下，针对步骤/2/到/4/选择所述所识别检测器。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，借助于CMOS型寻址方 式执行步骤/3/中的所述电流的供应。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，借助于CMOS型寻址方 式来执行步骤/3/中的电流供应以及用于选择所述所识别的检测器的额外步 骤。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，执行所述步骤/3/以修改所 述所识别检测器的材料，所述被修改的材料在辐射测量序列期间对电磁辐射 敏感。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤/3/中用于加热所述 所识别检测器的所述检测器电阻性元件属于所述所识别检测器。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤/3/中将所述所识别 检测器加热到大于60℃。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，执行步骤/3/以便在大于或 等于所述阈值温度的温度下、和/或在小于或等于所述阈值电阻的电阻下维护 所述所识别检测器持续至少一分钟的持续时间。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤/4/中的所述冷却具 有大于至少两分钟的持续时间。

11.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括用于测量所述阵列的至少 部分的检测器的各自温度和/或电阻的步骤，且其特征在于，在步骤/2/中根 据针对所述阵列的所述部分的检测器而测得的所述温度和/或电阻以及针对 所述所识别检测器而测得的所述温度和/或电阻设置所述所识别检测器的所 述阈值温度和/或所述阈值电阻。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，针对多个所识别检测器执 行步骤/1/，以及在步骤/3/中对所述阵列中的多个检测器的各自电阻性元件同 时地供应电流，使用用于处理分别针对所述所识别检测器而测得的温度和/ 或电阻的算法来确定所述电流，以便对所述所识别检测器同时地进行加热。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，同时将所述所识别检测 器加热到共同的最大温度。

14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法被自动地执行。