[发明专利]太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，其包含：

在基板上的第一电极；

在第一电极上的多个支柱；

在第一电极上的半导体层，其中该半导体层的表面积大于该第一电极的表面积；及

在半导体层上方的第二电极。

2.权利要求1的太阳能电池，其中所述半导体层包含掺杂正型杂质的半导体材料的第一半导体层、本征半导体材料的第二半导体层、及掺杂负型杂质的半导体材料的第三半导体层，且其中第一半导体层面对所述多个支柱，而第二半导体层位于第一及第三半导体层之间。

3.权利要求2的太阳能电池，其中所述基板由玻璃形成，第一电极由氧化锡及氧化锌之一形成，且第二电极由不透明金属材料形成。

4.权利要求2的太阳能电池，其还包含设置于第三半导体层与第二电极之间的反射层。

5.权利要求4的太阳能电池，其中所述反射层由氧化锌形成。

6.权利要求1的太阳能电池，其中所述多个支柱中的每一个都具有圆形、卵圆形、及十字形之一。

7.权利要求1的太阳能电池，其中所述多个支柱中的每一个都具有包含第一轴及第二轴的十字形，且还包括连接十字形第一轴的一端与十字形的第二轴的末端的连接线，该连接线具有弯曲形状。

8.权利要求1的太阳能电池，其中将所述多个支柱设置成第一行及第二行，且第一行中的支柱与第二行中的支柱交替设置。 

9.权利要求1的太阳能电池，其中所述多个支柱由硅氧化物、硅氮化物及透明光敏材料之一形成。

10.一种制造太阳能电池的方法，其包含：

在基板上形成第一电极；

在第一电极上形成多个支柱；

在第一电极上形成半导体层，其中该半导体层的表面积大于该第一电极的表面积；及

在该半导体层上方形成第二电极。

11.权利要求10的方法，其中形成该半导体层的步骤包含：

形成掺杂正型杂质的半导体材料的第一半导体层，其面对所述多个支柱；

在第一半导体层上形成本征半导体材料的第二半导体层；及

在第二半导体层上形成掺杂负型杂质的半导体材料的第三半导体层。

12.权利要求11的方法，其还包含在第三半导体层与第二电极之间形成反射层。

13.一种太阳能电池，其包含：

在基板表面上的多个支柱；

在所述具有多个支柱的基板的表面上的第一电极；

在第一电极上的半导体层，其中该半导体层的表面积大于基板的表面积；及

位于该半导体层上方的第二电极。

14.权利要求13的太阳能电池，其中所述半导体层包含掺杂正型杂质的半导体材料的第一半导体层、本征半导体材料的第二半导体层、及掺杂负型杂质的半导体材料的第三半导体层，并且第一半导体层面对第一电极，而第二半导体层位于第一与第三半导体层之间。 

15.权利要求14的太阳能电池，其中所述基板由玻璃形成，第一电极由氧化锡及氧化锌之一形成，且第二电极由不透明金属材料形成。

16.权利要求14的太阳能电池，其还包含设置于第三半导体层与第二电极之间的反射层。

17.权利要求16的太阳能电池，其中所述反射层由氧化锌形成。

18.权利要求13的太阳能电池，其中所述多个支柱中的每一个都具有圆形、卵圆形、及十字形之一。

19.权利要求13的太阳能电池，其中所述多个支柱中的每一个都具有包含第一轴及第二轴的十字形，且还包含连接该十字形的第一轴的一端与该十字形的第二轴的末端的连接线，该连接线具有弯曲形状。

20.权利要求13的太阳能电池，其中所述多个支柱由与基板相同的材料形成。

21.权利要求13的太阳能电池，其中将该多个支柱设置成第一行及第二行，且其中该第一行中的支柱与该第二行中的支柱交替设置。