[发明专利]太阳能电池的氮氧化物钝化

权利要求书

1.一种制造太阳能电池的方法，该方法包括：

在硅衬底上形成P型和N型活性扩散区域；

在该P型和N型活性扩散区域上形成氮氧化物钝化层；

形成接触开口，该接触开口穿过该氮氧化物钝化层至该P型和N型活性扩散区域；

形成金属网格线，该金属网格线通过该接触开口选择性地接触该P型和N型活性扩散区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成该氮氧化物钝化层包括在包括氧气和氮气的环境中生长该氮氧化物钝化层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中形成该氮氧化物钝化层包括生长氧化物层，之后在具有氮气的环境中进行退火以便将该氧化物层转变为氮氧化物层。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括使该硅衬底的正表面织构化以提高太阳收集效率。

5.根据权利要求1所述的方法，其中该P型和N型活性扩散区域通过掺杂源的沉积、之后掺杂剂从该掺杂源进入到该掺杂区域中的扩散来形成。

6.根据权利要求5所述的方法，其中该掺杂源通过直接印刷来沉积。

7.根据权利要求5所述的方法，其中在该掺杂源上沉积该氮氧化物钝化层。

8.根据权利要求1所述的方法，其中通过该氮氧化物钝化层减少在该太阳能电池的工作期间的表面复合。

9.根据权利要求1所述的方法，其中在该硅衬底的正面和背面上形成该氮氧化物钝化层。

10.一种用于太阳能电池的结构，该结构包括：

硅衬底；

在该硅衬底中的P型和N型活性扩散区域；

在该硅衬底中的P型和N型活性扩散区域上的氮氧化物钝化层；

穿过该氮氧化物钝化层至该P型和N型活性扩散区域的接触开口；和

金属网格线，该金属网格线通过该接触开口选择性地接触该P型和N型活性扩散区域。

11.根据权利要求10所述的结构，其中在包括氧气和氮气的环境中生长该氮氧化物钝化层。

12.根据权利要求10所述的结构，其中通过生长氧化物层、之后在具有氮气的环境中进行退火以便将该氧化物层转变为氮氧化物层来形成该氮氧化物钝化层。

13.根据权利要求10所述的结构，进一步包括该硅衬底的织构化的正表面以提高太阳收集效率。

14.根据权利要求10所述的结构，其中通过掺杂源的沉积、之后掺杂剂从该掺杂源进入到该掺杂区域中的扩散来形成该P型和N型活性扩散区域。

15.根据权利要求14所述的结构，其中该掺杂源通过直接印刷来沉积。

16.根据权利要求14所述的结构，其中在该掺杂源上沉积该氮氧化物钝化层。

17.根据权利要求10所述的结构，其中通过该氮氧化物钝化层减少在该太阳能电池的工作期间的表面复合。

18.根据权利要求10所述的结构，其中在该硅衬底的正面和背面上形成该氮氧化物钝化层。