[发明专利]成膜方法、成膜装置和存储介质

权利要求书

1.一种成膜方法，其使用成膜装置，使从固体或液体的原料得到 的原料气体在处理容器内的基板表面进行化学反应，从而在基板上形 成薄膜，该成膜装置包括：具有供给原料气体的供给口和排出气体的 排气口的处理容器；配置在处理容器内并载置基板的载置台；和通过 使表面的温度变化而使原料气体吸附、脱离的吸附脱离部件，该成膜 方法的特征在于，包括：

将所述处理容器的内壁的温度设定为所述原料开始升华或开始蒸 发的温度TA以上、且低于在基板表面发生化学反应的温度TB的工序 a；

接着，将所述吸附脱离部件的表面的温度设定为低于所述温度 TA，关闭所述排气口，从所述供给口向该处理容器内供给原料气体， 然后关闭所述供给口，使原料气体作为固体或液体吸附在所述吸附脱 离部件的表面上的工序b；

在将载置在所述处理容器内的载置台上的基板的温度设定为所述 温度TB以上后，将所述吸附脱离部件的表面的温度设定为所述温度 TA以上，从而使从所述吸附脱离部件的表面脱离的原料气体在所述基 板表面上进行化学反应，在所述基板上形成薄膜的工序c；和

用吹扫气体置换所述处理容器内的原料气体的工序d。

2.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

在所述工序b之前，进行将基板载置在所述处理容器内的载置台 上，进而将该基板的温度设定为所述温度TA以上且低于所述温度TB 的工序。

3.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

在所述工序d之后，反复进行一次以上包括将所述基板的温度设 定为所述温度TA以上且低于温度TB的工序d1、所述工序b、所述工 序c和所述工序d的循环。

4.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

在所述进行成膜的工序c和所述进行置换的工序d之间，进行将 所述吸附脱离部件的表面的温度设定为低于所述温度TA，使所述处理 容器内的未反应的原料气体作为固体或液体吸附在所述吸附脱离部件 上的工序。

5.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

所述原料气体与选自氩、氮、氢中的至少一种以上的载气一同被 供给至所述处理容器内。

6.一种成膜装置，其通过使从固体或液体的原料得到的原料气体 在处理容器内的基板表面进行化学反应而在基板上形成薄膜，该成膜 装置的特征在于，包括：

具有供给原料气体的供给口和排出气体的排气口的处理容器；

通过使表面的温度变化而使原料气体吸附、脱离的吸附脱离部件；

用于设定所述处理容器的内壁的温度的第一温度调整单元；

用于设定所述处理容器内的基板的温度的第二温度调整单元；

用于设定所述吸附脱离部件的表面的温度的第三温度调整单元；

用于向所述处理容器内供给吹扫气体的吹扫气体供给单元；和

控制所述成膜装置的控制部，

所述控制部按照如下方式进行控制：利用第一温度调整单元，将 所述处理容器的内壁的温度设定为所述原料开始升华或开始蒸发的温 度TA以上、且低于在基板表面发生化学反应的温度TB，利用所述第 三温度调整单元将吸附脱离部件的表面的温度设定为低于所述温度 TA，关闭所述排气口，从所述供给口向该处理容器内供给所述原料气 体，接着关闭所述供给口，使原料气体作为固体或液体吸附在所述吸 附脱离部件的表面上，利用所述第二温度调整单元将载置在处理容器 内的载置台上的基板的温度设定为所述温度TB以上，利用所述第三温 度调整单元将吸附脱离部件的表面的温度设定为所述温度TA以上且 低于所述温度TB，从而使从所述吸附脱离部件的表面脱离的原料气体 在所述基板表面上进行化学反应，在所述基板上形成薄膜，然后用吹 扫气体置换所述处理容器内的原料气体。

7.根据权利要求6所述的成膜装置，其特征在于：

所述控制部输出控制信号，使得在使所述原料气体吸附在所述吸 附脱离部件的表面上之前，将所述基板载置在所述处理容器内的载置 台上，并且利用所述第二温度调整单元将该基板的温度设定为温度TA 以上且低于所述温度TB。