[发明专利]用于非易失性存储器的第一层间电介质堆叠

权利要求书

1.一种在半导体结构上形成第一层间电介质的方法，包括：

在所述半导体结构上形成多个器件组件；

在所述多个器件组件上方形成蚀刻停止层；

在所述蚀刻停止层上方形成电介质空隙填充层，以填充在所述多 个器件组件之间的区域；

将所述电介质空隙填充层平坦化下至平坦的表面；

在所述电介质空隙填充层的平坦的表面上方形成电介质吸除层， 其中所述电介质吸除层用于保护下面的层不受移动离子的影响；以及

选择性地蚀刻所述电介质吸除层和所述电介质空隙填充层，以在 一个或多个所述器件组件中的一个或多个接触区域上方暴露所述蚀刻 停止层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成蚀刻停止层包括：在 所述多个器件组件上方沉积等离子体增强的氮化物层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成电介质空隙填充层包 括：沉积SATEOS或HDP PTEOS层，以填充在所述多个器件组件之 间的区域。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，平坦化所述电介质空隙填 充层包括：使用化学机械抛光工艺以将所述电介质空隙填充层平坦化 下至平坦的表面。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成电介质吸除层包括： 在所述电介质空隙填充层的平坦的表面上方沉积BPTEOS层、PTEOS 层或BTEOS层或者其组合，以提供移动离子阻挡层。

6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在选择性地蚀刻所 述电介质吸除层之前，在所述电介质吸除层上方形成电介质覆盖层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，形成电介质覆盖层包括： 在所述电介质吸除层上方沉积等离子体增强的正硅酸乙酯(PETEOS) 层。

8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：选择性地蚀刻所述 暴露的蚀刻停止层，以暴露在一个或多个器件组件中的一个或多个接 触区域。

9.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在所述电介质空隙 填充层上方形成稳定的抛光盖层，使得在对所述电介质空隙填充层进 行平坦化的同时，平坦化所述稳定的抛光盖层和电介质空隙填充层。

10.一种制造半导体器件的方法，包括：

在半导体结构上形成多个器件组件；

通过在所述多个器件组件上方沉积电介质层来形成空隙填充层， 以填充在所述多个器件组件之间的区域；

将所述空隙填充层抛光下至平坦的表面；以及

在所述空隙填充层的平坦的表面上方沉积吸除层，其中所述吸除 层用于保护下面的层不受移动离子的影响。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，形成空隙填充层包括： 在所述电介质层上方形成稳定的抛光盖层。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，形成空隙填充层包括： 在所述多个器件组件上方沉积SATEOS或HDP掺杂的TEOS层，以填 充在所述多个器件组件之间的区域。

13.根据权利要求10所述的方法，其中，抛光所述空隙填充层包 括：利用化学机械抛光工艺来平坦化所述空隙填充层。

14.根据权利要求10所述的方法，其中，沉积吸除层包括：在所 述空隙填充层的平坦的表面上方沉积BPTEOS层、PTEOS层或BTEOS 层或者其组合。

15.根据权利要求10所述的方法，其中，沉积吸除层包括：

在所述空隙填充层的平坦的表面上方沉积一个或多个掺杂的 TEOS层；以及

在一个或多个掺杂的TEOS层上方沉积由等离子体增强的TEOS 形成的锚定层。

16.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：在形成所述空隙 填充层之前，在所述多个器件组件上方形成蚀刻停止层。