[发明专利]具有微相分离结构的聚合物体的制造方法及具有微相分离结构的聚合物体有效
| 申请号: | 200880010556.1 | 申请日: | 2008-03-24 |
| 公开(公告)号: | CN101688047A | 公开(公告)日: | 2010-03-31 |
| 发明(设计)人: | 小西贵久;新谷卓司;松下裕秀;高野敦志;川口大辅 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
| 主分类号: | C08L53/00 | 分类号: | C08L53/00;C08L25/18;C08F293/00 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 王海川;穆德骏 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 分离 结构 聚合 物体 制造 方法 | ||
1.一种具有微相分离结构的聚合物体的制造方法,其中,
将嵌段共聚物(I)和聚合物(II)利用热熔融混合后使温度降低或者 在溶剂中混合后除去溶剂,其中,所述嵌段共聚物(I)包含具有相互 不同的单体单元的2种以上的链段,作为所述链段,具有第一链段和 与所述第一链段不相容的第二链段,所述第一链段包含具有能够形成 离子键和/或氢键的第一官能团的单体单元;所述聚合物(II)在聚合 物链的末端以外具有能够与所述第一官能团之间形成离子键和/或氢键 的第二官能团,所述聚合物(II)为包含具有所述第二官能团的单体单 元的均聚物,
由此,利用所述第一与第二官能团之间产生的离子键和/或氢键使 所述第一链段与所述聚合物(II)在多点结合,同时,使所述共聚物(I) 与所述聚合物(II)的混合物发生微相分离,
形成具有微相分离结构的聚合物体,所述微相分离结构包括:含 有相互结合的所述第一链段和所述聚合物(II)的区域、和含有所述第 二链段的区域。
2.如权利要求1所述的具有微相分离结构的聚合物体的制造方 法,其中,通过控制所述聚合物(II)的分子量、和/或所述共聚物(I) 与所述聚合物(II)的混合比率,控制所述相分离结构。
3.如权利要求1所述的具有微相分离结构的聚合物体的制造方 法,其中,所述相分离结构为柱状结构、层状结构、球状结构或共连 续结构。
4.如权利要求1所述的具有微相分离结构的聚合物体的制造方 法,其中,所述共聚物(I)为包含具有相互不同的单体单元的二种链 段的嵌段共聚物。
5.如权利要求4所述的具有微相分离结构的聚合物体的制造方 法,其中,所述共聚物(I)是具有所述两种链段各一个的二嵌段共聚 物。
6.如权利要求1所述的具有微相分离结构的聚合物体的制造方 法,其中,只有一个所述链段具有所述第一官能团。
7.如权利要求1所述的具有微相分离结构的聚合物体的制造方 法,其中,所述第一和第二官能团的组合为含氮的官能团与含氧的官 能团的组合。
8.如权利要求7所述的具有微相分离结构的聚合物体的制造方 法,其中,所述第一和第二官能团的组合为选自氮杂苯基、二烷基氨 基、氰基及吗啉基中的至少一种与选自羟苯基、磺酸基及羧基中的至 少一种的组合。
9.如权利要求1所述的具有微相分离结构的聚合物体的制造方 法,其中,所述第一和第二官能团的组合为氮杂苯基与羟苯基的组合。
10.如权利要求1所述的具有微相分离结构的聚合物体的制造方 法,其中,所述共聚物(I)为(聚苯乙烯-聚2-乙烯基吡啶)二嵌段共 聚物。
11.如权利要求1所述的具有微相分离结构的聚合物体的制造方 法,其中,所述聚合物(II)为聚(4-羟基苯乙烯)。
12.如权利要求1所述的具有微相分离结构的聚合物体的制造方 法,其中,所述聚合物(II)的分子量大于所述第一链段的分子量。
13.如权利要求1所述的具有微相分离结构的聚合物体的制造方 法,其中,将所述共聚物(I)与所述聚合物(II)混合,使得所述聚 合物(II)相对于所述第一链段的重量比超过1.3。
14.通过权利要求1所述的制造方法得到的具有微相分离结构的 聚合物体。
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