[发明专利]形成具有量子阱沟道的非平面晶体管

权利要求书

1.一种半导体设备，其包括：

衬底；

形成于所述衬底上的掩埋氧化物层；

直接形成于所述掩埋氧化物层上的绝缘体上硅内核，所述绝缘体上硅 内核由所述掩埋氧化物层上的硅鳍形成；

直接包覆在所述绝缘体上硅内核周围的量子阱层，其中所述量子阱层 是发生压缩应变的；以及

包覆在所述量子阱层周围的硅层，其中所述硅层是发生拉伸应变的。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述量子阱层由硅锗形成，且Ge 浓度至少为10％。

3.根据权利要求1所述的设备，还包括：

形成于所述硅层上方的栅极电介质层；以及

形成于所述栅极电介质层上方的栅电极层。

4.根据权利要求3所述的设备，其中所述设备包括非平面晶体管，其 中所述量子阱层包括所述非平面晶体管的沟道。

5.根据权利要求4所述的设备，其中所述非平面晶体管包括高电子迁 移率晶体管或高空穴迁移率晶体管。

6.一种制造半导体设备的方法，其包括：

在衬底上形成掩埋氧化物层；

直接在所述掩埋氧化物层上形成绝缘体上硅内核，所述绝缘体上硅内 核包括硅的窄条；

形成直接包覆在所述绝缘体上硅内核周围的压缩应变量子阱层；以及

形成包覆在所述量子阱层周围的硅层，其中所述硅层是发生拉伸应变 的。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括形成Ge浓度至少为10％的硅 锗量子阱层。

8.根据权利要求6所述的方法，还包括形成非平面晶体管，其中所述 量子阱层包括所述非平面晶体管的沟道。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述非平面晶体管包括高电子迁 移率晶体管或高空穴迁移率晶体管。

10.根据权利要求6所述的方法，还包括：

形成栅极电介质层，该栅极电介质层形成在所述硅层上方；以及

在所述栅极电介质层上方形成栅电极层。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括利用原子层沉积工艺形成所 述栅极电介质层和所述栅电极层。