[发明专利]曝光方法、曝光装置、聚光图案形成组件、掩膜以及元件制造方法

权利要求书

1.一种曝光方法，其特征在于其包括以下步骤：

第1曝光步骤，对配置成接近基板的掩膜照射曝光光，将形成于上述 掩膜上的规定的图案曝光于上述基板上；以及

第2曝光步骤，对配置成接近上述基板且具备多个聚光部的聚光图案 形成组件照射曝光光，将规定形状的聚光图案曝光于上述基板上，

经上述第1曝光步骤而曝光于上述基板上的上述规定的图案的至少一 部分、与经上述第2曝光步骤而形成于上述基板上的上述聚光图案的至少 一部分相重叠。

2.根据权利要求1所述的曝光方法，其特征在于其中

上述第1曝光步骤包括使上述掩膜与上述基板相对静止的状态下进行 曝光。

3.根据权利要求1所述的曝光方法，其特征在于其中

上述第2曝光步骤包括使上述聚光图案与上述基板相对静止的状态下 进行曝光。

4.根据权利要求1所述的曝光方法，其特征在于其中

上述第2曝光步骤包括一方面使上述聚光图案的形成位置与上述基板 进行相对移动，一方面进行曝光。

5.根据权利要求1所述的曝光方法，其特征在于其中

上述第1曝光步骤包括一方面使上述掩膜与上述基板进行相对移动， 一方面进行曝光。

6.根据权利要求1所述的曝光方法，其特征在于其还包括

使上述掩膜与上述基板沿着第1方向进行相对移动的第1移动步骤。

7.根据权利要求6所述的曝光方法，其特征在于其还包括

沿着上述第1方向来配置上述掩膜与上述聚光图案形成组件的配置步骤。

8.根据权利要求6所述的曝光方法，其特征在于其还包括

使上述掩膜与上述基板沿着横过上述第1方向的第2方向进行相对移 动的第2移动步骤。

9.根据权利要求1所述的曝光方法，其特征在于其中

上述掩膜是多个掩膜中的一个，且上述曝光方法还包括以下步骤：在 与上述基板大致平行的面内，将上述多个掩膜交错配置。

10.根据权利要求1所述的曝光方法，其特征在于其中上述聚光图案 包括了比经上述第1曝光步骤而曝光的上述规定的图案更细微的尺寸。

11.一种曝光方法，其特征在于其包括以下步骤：

规定的第1图案的第1曝光步骤，在使基板相对于规定的第1图案而 静止的状态下，将上述第1图案曝光于上述基板上的第1区域；

规定的第2图案的第2曝光步骤，一方面使规定的第2图案与上述基 板进行相对移动，一方面将上述第2图案曝光于上述基板上的上述第1区 域；以及

移动步骤，使上述第1图案的形成位置与上述基板进行相对移动，以 将上述第1图案曝光于上述基板上与上述第1区域不同的第2区域，

上述规定的第2图案的第2曝光步骤是在执行上述移动步骤时进行的， 上述第2曝光步骤包括：对配置成接近于上述基板且具备多个聚光部的聚 光图案形成组件照射曝光光，并将与上述第2图案相对应的形状的聚光图 案形成于上述基板上。

12.根据权利要求11所述的曝光方法，其特征在于其中

上述第1曝光步骤包括使用接近于上述基板而配置、且具有与上述第1 图案相对应的图案的掩膜，来进行第1曝光。

13.根据权利要求11所述的曝光方法，其特征在于其中

上述第2曝光步骤包括对上述多个聚光部选择性地照射光的步骤。