[发明专利]在其上表面和下表面具有半导体结构体的半导体装置及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200880003543.1 申请日: 2008-03-03
公开(公告)号: CN101595563A 公开(公告)日: 2009-12-02
发明(设计)人: 根岸祐司 申请(专利权)人: 卡西欧计算机株式会社
主分类号: H01L25/10 分类号: H01L25/10;H01L25/065
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 王琼先;王永建
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 表面 具有 半导体 结构 装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,包括:

上电路板,其包括多个上层布线并包括多个第一和第二下层布线,所 述上层布线包括多个第一上层布线;

第一半导体结构体,其设在上电路板的上侧上,并电连接到第一上层 布线;

下电路板,其设在上电路板的下侧的边缘部分上,该下电路板包括电 连接到第一下层布线的多个外部连接布线以及露出第二下层布线的开口部 分;以及

第二半导体结构体,其被设置于下电路板的开口部分中,第二半导体 结构体包括电连接到上电路板的第二下层布线的多个外部连接电极,

其中,所述上电路板的所述第一下层布线和所述第二下层布线形成在 同一个面下,

所述下电路板具有下层绝缘片和被设置在所述下层绝缘片内的截头圆 锥形状的突出电极,

所述上电路板的所述第二下层布线被连接到所述突出电极。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,上电路板具有多 层布线结构。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,下电路板具 有多层布线结构。

4.根据权利要求1,2或3所述的半导体装置,其特征在于,下电路板 的下表面位于第二半导体结构体的下表面之下。

5.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置,其特征在于,下电 路板包括外套膜,所述外套膜在与外部连接布线的连接焊盘部分相对应的 部分具有多个开口部分。

6.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,多个焊球被设在 外套膜的开口部分中以及外套膜的开口部分下面,并且与外部连接布线的 连接焊盘部分相连。

7.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述 多个上层布线包括至少一个第二上层布线,而且该半导体装置进一步包括 电连接到第二上层布线的芯片部件。

8.根据权利要求7所述的半导体装置,其特征在于,进一步包括设在 芯片部件和上电路板上的密封膜。

9.一种半导体装置,其包括:

上电路板,其中堆叠有每个都具有通路孔和内部布线的多个衬底,上 电路板在上表面包括多个上层布线而在下表面包括多个下层布线,所述多 个上层布线包括至少第一上层布线,而所述多个下层布线包括多个第一下 层布线和多个第二下层布线;

第一半导体结构体,其设在上电路板上并且连接到第一上层布线;

下电路板,其被设在上电路板的下侧的边缘部分上,下电路板包括与 第一下层布线相连的多个外部连接布线,以及露出第二下层布线的开口部 分和露出外部连接布线的开口部分;

第二半导体结构体,其被设置于下电路板的开口部分中,并包括与上 电路板的第二下层布线相连的外部连接电极;以及

多个传导实体,其通过露出外部连接布线的开口部分与外部连接布线 相结合,每个传导实体所具有的高度使得在传导实体连接到外部端子的状 态下,传导实体的下表面位于第二半导体结构体的下表面之下,

其中,所述上电路板的所述第一下层布线和所述第二下层布线形成在 同一个面下,

所述下电路板具有下层绝缘片和被设置在所述下层绝缘片内的截头圆 锥形状的突出电极,

所述上电路板的所述第二下层布线被连接到所述突出电极。

10.根据权利要求9所述的半导体装置,其特征在于,第一半导体结构 体包括具有多个连接焊盘的半导体衬底、覆盖半导体衬底并具有露出连接 焊盘的多个开口部分的绝缘膜、形成于绝缘膜上并且通过开口部分与连接 焊盘电连接的布线、以及覆盖绝缘膜并包括露出部分布线的开口部分的外 套膜。

11.根据权利要求9或10所述的半导体装置,其特征在于,第二半导 体结构体包括具有连接焊盘的半导体衬底、覆盖该半导体衬底并包括露出 连接焊盘的开口部分的绝缘膜、形成于绝缘膜上且通过开口部分与连接焊 盘相连的突出电极、以及覆盖绝缘膜并且围绕突出电极形成的密封膜。

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