[发明专利]非易失性存储器和用于高速缓存页复制的方法有效
| 申请号: | 200880000928.2 | 申请日: | 2008-02-29 |
| 公开(公告)号: | CN101548332A | 公开(公告)日: | 2009-09-30 |
| 发明(设计)人: | 李彦 | 申请(专利权)人: | 桑迪士克股份有限公司 |
| 主分类号: | G11C11/56 | 分类号: | G11C11/56;G11C16/04 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 刘国伟 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 非易失性存储器 用于 高速缓存 复制 方法 | ||
1.一种在具有存储器单元阵列的非易失性存储器中将数据群组从第一存储器单元群 组复制到第二存储器单元群组的方法,其中各个存储器单元每一者可编程到多个存 储器状态中的一者,所述方法包含:
提供多位代码,所述多位代码具有用于编码所述多个存储器状态中的每一者的多 个代码位;
预定所述代码位的位次序,使得随着更多的较高阶代码位可用,更多的较高经编 程状态是可解码的;
读取所述第一存储器单元群组中的存储器单元以确定其中的所述存储器状态;
用所述多位代码将每一所读取的存储器状态编码为多位数据;
锁存所述第一存储器单元群组中的每个存储器单元的所述多位数据;
将所述所锁存的数据分组为与代码位数目一样多的数据群组,每一数据群组具有 从来自所述第一存储器单元群组中的每个存储器单元的相同代码位收集的位;
通过将每一数据群组的所述位输出到控制器以用于数据处理且返回任何经修改 的位以更新每一数据群组,根据所述预定代码位次序而逐个数据群组地处理所述数 据群组;
如果任何数据群组已被处理,则与任何额外数据群组处理同时地,编程所述第二 存储器单元群组中的各个存储器单元直到可由来自所述经处理的数据群组的可用 代码位解码的最高存储器状态;以及
重复所述处理和所述编程,直到所述多位代码的所有代码位均可用于完成所述编 程为止。
2.根据权利要求1所述的方法,其进一步包含:
提供锁存器集合以用于锁存所述存储器单元群组中的每一存储器单元的所述多 位数据,所述锁存器集合具有恰好用于所述多个代码位加上一额外位的容量。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述读取包括校正由于相邻字线的存储器单元引 起的任何扰动效应。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述多位代码含有两个位。
5.根据权利要求1所述的方法,其中所述多位代码含有三个位。
6.根据权利要求1所述的方法,其中所述多位代码含有四个位。
7.根据权利要求1所述的方法,其中将所述存储器单元阵列组织成存储器单元的多个 可擦除区块,且所述第一存储器单元群组和所述第二存储器单元群组属于不同的可 擦除区块。
8.根据权利要求1所述的方法,其中将所述存储器单元阵列组织成存储器单元的多个 可擦除区块,且所述第一存储器单元群组和所述第二存储器单元群组属于同一可擦 除区块。
9.根据权利要求1所述的方法,其中所述非易失性存储器是快闪EEPROM。
10.根据权利要求1所述的方法,其中所述非易失性存储器具有NAND结构。
11.根据权利要求1所述的方法,其中所述非易失性存储器处于可移除式存储卡上。
12.根据权利要求1所述的方法,其中所述非易失性存储器具有具浮动栅极结构的存储 器单元。
13.根据权利要求1所述的方法,其中所述非易失性存储器包含具有介电层结构的存储 器单元。
14.根据权利要求2所述的方法,其中所述读取包括校正由于相邻字线的存储器单元引 起的任何扰动效应。
15.根据权利要求2所述的方法,其中所述多位代码含有两个位。
16.根据权利要求2所述的方法,其中所述多位代码含有三个位。
17.根据权利要求2所述的方法,其中所述多位代码含有四个位。
18.根据权利要求2所述的方法,其中将所述存储器单元阵列组织成存储器单元的多个 可擦除区块,且所述第一存储器单元群组和所述第二存储器单元群组属于不同的可 擦除区块。
19.根据权利要求2所述的方法,其中将所述存储器单元阵列组织成存储器单元的多个 可擦除区块,且所述第一存储器单元群组和所述第二存储器单元群组属于同一可擦 除区块。
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